Sb-Te基薄膜的掺杂改性及其可逆相变特性研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 引言 | 第8-11页 |
| 1.2 相变存储器原理 | 第11-12页 |
| 1.3 相变存储器研究进展 | 第12-13页 |
| 1.4 相变存储器存在的问题 | 第13-14页 |
| 1.5 本论文的主要工作 | 第14-15页 |
| 第2章 实验条件和分析测试方法 | 第15-25页 |
| 2.1 薄膜样品的制备和分析 | 第15-19页 |
| 2.1.1 薄膜样品的制备 | 第15页 |
| 2.1.2 薄膜样品的分析手段 | 第15-19页 |
| 2.2 相变存储器器件的工艺和光电性能测试 | 第19-24页 |
| 2.2.1 器件制备工艺流程 | 第19-23页 |
| 2.2.2 器件的电学性能测试 | 第23-24页 |
| 2.3 本章小结 | 第24-25页 |
| 第3章 Sb_2Te掺杂改性材料的表征 | 第25-34页 |
| 3.1 引言 | 第25页 |
| 3.2 实验简介 | 第25页 |
| 3.3 薄膜材料的性能分析 | 第25-32页 |
| 3.3.1 薄膜材料电阻随温度变化分析 | 第25-26页 |
| 3.3.2 薄膜电导激活能的分析 | 第26-27页 |
| 3.3.3 薄膜材料数据保持力分析 | 第27-28页 |
| 3.3.4 XRD对薄膜结构的分析 | 第28-29页 |
| 3.3.5 TEM对薄膜结构的分析 | 第29-32页 |
| 3.4 小结 | 第32-34页 |
| 第4章 Sb_2Te掺杂改性材料的器件测试 | 第34-39页 |
| 4.1 引言 | 第34页 |
| 4.2 实验简介 | 第34页 |
| 4.3 电学性能测试 | 第34-37页 |
| 4.3.1 电流-电阻特性 | 第34-35页 |
| 4.3.2 电阻-脉冲特性 | 第35页 |
| 4.3.3 电阻-电压特性 | 第35-37页 |
| 4.3.4 器件疲劳特性 | 第37页 |
| 4.4 小结 | 第37-39页 |
| 第5章 高热稳定性的W掺杂Sb3Te材料 | 第39-48页 |
| 5.1 引言 | 第39页 |
| 5.2 实验简介 | 第39-40页 |
| 5.3 WXSb3Te材料的性能表征 | 第40-46页 |
| 5.3.1 材料的热学性能 | 第40-42页 |
| 5.3.2 材料的微观结构 | 第42-46页 |
| 5.4 器件的电学性能 | 第46-47页 |
| 5.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第6章 全文总结和展望 | 第48-49页 |
| 6.1 总结 | 第48页 |
| 6.2 展望 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-56页 |
| 在读期间发表的学术论文及研究成果 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57页 |
