| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 引言 | 第9-26页 |
| 1.1 热电效应相关理论及研究进展 | 第10-12页 |
| 1.2 热电器件原理 | 第12-14页 |
| 1.3 热电输运性质及其影响 | 第14-16页 |
| 1.4 热电材料的类型及其研究现状 | 第16-24页 |
| 1.4.1 Bi-Te系列 | 第16-17页 |
| 1.4.2 Pb-Te系列 | 第17-18页 |
| 1.4.3 Si-Ge系列 | 第18-19页 |
| 1.4.4 Skutterudite材料 | 第19-20页 |
| 1.4.5 Clathrates(笼式化合物) | 第20-21页 |
| 1.4.6 Half-Heusler合金 | 第21-22页 |
| 1.4.7 金属氧化物 | 第22-23页 |
| 1.4.8 Zintl相化合物 | 第23-24页 |
| 1.5 In_4Se_3材料及其研究现状 | 第24-26页 |
| 第二章 实验原理和方法 | 第26-34页 |
| 2.1 材料制备 | 第26-27页 |
| 2.2 材料的表征 | 第27-34页 |
| 2.2.1 X射线粉末衍射(XRD) | 第27页 |
| 2.2.2 透射电子显微镜(TEM) | 第27-29页 |
| 2.2.3 差分扫描量热法(DSC) | 第29页 |
| 2.2.4 高温热导率测试 | 第29-31页 |
| 2.2.5 σ和Seebeck系数测定 | 第31-32页 |
| 2.2.6 Hall测试 | 第32页 |
| 2.2.7 理论计算 | 第32-34页 |
| 第三章 In_4Se_3纯相合成 | 第34-41页 |
| 3.1 引言 | 第34-35页 |
| 3.2 实验部分 | 第35-36页 |
| 3.2.1 材料的制备 | 第35-36页 |
| 3.2.2 材料的表征 | 第36页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第36-40页 |
| 3.3.1 XRD数据及EDX数据 | 第36-38页 |
| 3.3.2 DSC数据 | 第38页 |
| 3.3.3 SEM观察图谱 | 第38-39页 |
| 3.3.4 Hall测试结果 | 第39-40页 |
| 3.3.5 热电性质测试结果 | 第40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 稀土、稀土卤化物取代对In_4Se_3性能影响 | 第41-55页 |
| 4.1 引言 | 第41页 |
| 4.2 实验部分 | 第41-42页 |
| 4.2.1 材料的制备 | 第41-42页 |
| 4.2.2 材料的表征 | 第42页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第42-53页 |
| 4.3.1 Yb替代材料的性质研究 | 第42-48页 |
| 4.3.2 Y、Dy替代材料的热电性质 | 第48-51页 |
| 4.3.3 YbCl_3掺杂材料的热电性质 | 第51-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 卤化物单掺、稀土和卤化物共掺In_4Se_3的热电性能 | 第55-63页 |
| 5.1 引言 | 第55页 |
| 5.2 实验部分 | 第55-56页 |
| 5.2.1 材料的制备 | 第55页 |
| 5.2.2 材料的表征 | 第55-56页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第56-62页 |
| 5.3.1 Nal掺杂材料的性质研究 | 第56-57页 |
| 5.3.2 Kl掺杂材料的性质研究 | 第57-58页 |
| 5.3.3 Nal与Yb共同掺杂材料的性质研究 | 第58-62页 |
| 5.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 第六章 Ni取代In_4Se_3热电材料的制备及热电性能研究 | 第63-69页 |
| 6.1 引言 | 第63页 |
| 6.2 实验部分 | 第63-64页 |
| 6.2.1 材料的制备 | 第63页 |
| 6.2.2 材料的表征 | 第63-64页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第64-67页 |
| 6.4 本章小结 | 第67-69页 |
| 总结与展望 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 个人简历及硕士期间成果 | 第80页 |
