摘要 | 第6-8页 |
ABSTRACT | 第8-9页 |
第一章 绪论 | 第12-24页 |
1.1 透明导电薄膜概述 | 第12-14页 |
1.1.1 金属薄膜 | 第12-13页 |
1.1.2 金属氧化物半导体薄膜 | 第13-14页 |
1.2 透明导电薄膜的应用 | 第14页 |
1.3 GZO透明导电薄膜的制备方法 | 第14-18页 |
1.3.1 射频磁控溅射原理 | 第15-16页 |
1.3.2 GZO薄膜沉积原理 | 第16-17页 |
1.3.3 GZO薄膜生长理论 | 第17-18页 |
1.4 GZO透明导电薄膜的组织与特性 | 第18-23页 |
1.4.1 ZnO的晶体结构 | 第18-20页 |
1.4.2 GZO薄膜的电学特性 | 第20-22页 |
1.4.3 GZO薄膜的光学特性 | 第22-23页 |
1.5 本论文研究内容及意义 | 第23-24页 |
1.5.1 本论文研究意义 | 第23页 |
1.5.2 本论文研究内容 | 第23-24页 |
第二章 实验材料及测试方法 | 第24-32页 |
2.1 GZO靶材的制备工艺 | 第24-25页 |
2.1.1 溅射靶材简介 | 第24-25页 |
2.1.2 溅射靶材的制备工艺 | 第25页 |
2.2 GZO薄膜的制备过程 | 第25-28页 |
2.2.1 实验基底 | 第25-26页 |
2.2.2 实验靶材 | 第26-27页 |
2.2.3 实验装置 | 第27页 |
2.2.4 GZO薄膜沉积流程 | 第27-28页 |
2.3 GZO薄膜结构和光电性能研究方法 | 第28-32页 |
2.3.1 GZO薄膜的表面形貌分析 | 第29页 |
2.3.2 GZO薄膜的微观结构分析 | 第29-30页 |
2.3.3 GZO薄膜的光学性能分析 | 第30页 |
2.3.4 GZO薄膜的电学性能分析 | 第30-32页 |
第三章 溅射工艺对GZO薄膜结构与光电性能的影响研究 | 第32-54页 |
3.1 溅射气压对GZO薄膜结构与光电性能的影响 | 第32-41页 |
3.1.1 溅射气压对GZO薄膜晶体结构的影响 | 第32-35页 |
3.1.2 溅射气压对GZO薄膜表面形貌的影响 | 第35-37页 |
3.1.3 溅射气压对GZO薄膜光学性能的影响 | 第37-40页 |
3.1.4 溅射气压对GZO薄膜电学性能的影响 | 第40-41页 |
3.2 溅射功率对GZO薄膜结构与光电性能的影响 | 第41-47页 |
3.2.1 溅射功率对GZO薄膜晶体结构的影响 | 第42-44页 |
3.2.2 溅射功率对GZO薄膜表面形貌的影响 | 第44-45页 |
3.2.3 溅射功率对GZO薄膜光学性能的影响 | 第45-47页 |
3.2.4 溅射功率对GZO薄膜电学性能的影响 | 第47页 |
3.3 基底偏压对GZO薄膜结构与光电性能的影响 | 第47-52页 |
3.3.1 基底偏压对GZO薄膜晶体结构的影响 | 第48-50页 |
3.3.2 基底偏压对GZO薄膜光学性能的影响 | 第50-51页 |
3.3.3 基底偏压对GZO薄膜电学性能的影响 | 第51-52页 |
3.4 本章小结 | 第52-54页 |
第四章 退火处理和外加磁场对GZO薄膜结构及光电性能的影响研究 | 第54-66页 |
4.1 退火处理对GZO薄膜结构及光电性能的影响研究 | 第54-59页 |
4.1.1 退火处理对GZO薄膜晶体结构的影响 | 第54-56页 |
4.1.2 退火温度对GZO薄膜表面形貌的影响 | 第56-57页 |
4.1.3 退火温度对GZO薄膜光学性能的影响 | 第57-58页 |
4.1.4 退火温度对GZO薄膜电学性能的影响 | 第58-59页 |
4.2 外加磁场对GZO薄膜结构及光电性能的影响研究 | 第59-65页 |
4.2.1 外加磁场对GZO薄膜晶体结构的影响 | 第60-62页 |
4.2.2 外加磁场对GZO薄膜光学性能的影响 | 第62-64页 |
4.2.3 外加磁场对GZO薄膜电学性能的影响 | 第64-65页 |
4.3 本章小结 | 第65-66页 |
第五章 总结与展望 | 第66-68页 |
5.1 全文总结 | 第66-67页 |
5.2 未来展望 | 第67-68页 |
参考文献 | 第68-72页 |
攻读硕士学位期间发表的学术论文及取得的相关科研成果 | 第72-73页 |
致谢 | 第73-74页 |