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Ga掺杂ZnO透明导电薄膜的制备及性能研究

摘要第6-8页
ABSTRACT第8-9页
第一章 绪论第12-24页
    1.1 透明导电薄膜概述第12-14页
        1.1.1 金属薄膜第12-13页
        1.1.2 金属氧化物半导体薄膜第13-14页
    1.2 透明导电薄膜的应用第14页
    1.3 GZO透明导电薄膜的制备方法第14-18页
        1.3.1 射频磁控溅射原理第15-16页
        1.3.2 GZO薄膜沉积原理第16-17页
        1.3.3 GZO薄膜生长理论第17-18页
    1.4 GZO透明导电薄膜的组织与特性第18-23页
        1.4.1 ZnO的晶体结构第18-20页
        1.4.2 GZO薄膜的电学特性第20-22页
        1.4.3 GZO薄膜的光学特性第22-23页
    1.5 本论文研究内容及意义第23-24页
        1.5.1 本论文研究意义第23页
        1.5.2 本论文研究内容第23-24页
第二章 实验材料及测试方法第24-32页
    2.1 GZO靶材的制备工艺第24-25页
        2.1.1 溅射靶材简介第24-25页
        2.1.2 溅射靶材的制备工艺第25页
    2.2 GZO薄膜的制备过程第25-28页
        2.2.1 实验基底第25-26页
        2.2.2 实验靶材第26-27页
        2.2.3 实验装置第27页
        2.2.4 GZO薄膜沉积流程第27-28页
    2.3 GZO薄膜结构和光电性能研究方法第28-32页
        2.3.1 GZO薄膜的表面形貌分析第29页
        2.3.2 GZO薄膜的微观结构分析第29-30页
        2.3.3 GZO薄膜的光学性能分析第30页
        2.3.4 GZO薄膜的电学性能分析第30-32页
第三章 溅射工艺对GZO薄膜结构与光电性能的影响研究第32-54页
    3.1 溅射气压对GZO薄膜结构与光电性能的影响第32-41页
        3.1.1 溅射气压对GZO薄膜晶体结构的影响第32-35页
        3.1.2 溅射气压对GZO薄膜表面形貌的影响第35-37页
        3.1.3 溅射气压对GZO薄膜光学性能的影响第37-40页
        3.1.4 溅射气压对GZO薄膜电学性能的影响第40-41页
    3.2 溅射功率对GZO薄膜结构与光电性能的影响第41-47页
        3.2.1 溅射功率对GZO薄膜晶体结构的影响第42-44页
        3.2.2 溅射功率对GZO薄膜表面形貌的影响第44-45页
        3.2.3 溅射功率对GZO薄膜光学性能的影响第45-47页
        3.2.4 溅射功率对GZO薄膜电学性能的影响第47页
    3.3 基底偏压对GZO薄膜结构与光电性能的影响第47-52页
        3.3.1 基底偏压对GZO薄膜晶体结构的影响第48-50页
        3.3.2 基底偏压对GZO薄膜光学性能的影响第50-51页
        3.3.3 基底偏压对GZO薄膜电学性能的影响第51-52页
    3.4 本章小结第52-54页
第四章 退火处理和外加磁场对GZO薄膜结构及光电性能的影响研究第54-66页
    4.1 退火处理对GZO薄膜结构及光电性能的影响研究第54-59页
        4.1.1 退火处理对GZO薄膜晶体结构的影响第54-56页
        4.1.2 退火温度对GZO薄膜表面形貌的影响第56-57页
        4.1.3 退火温度对GZO薄膜光学性能的影响第57-58页
        4.1.4 退火温度对GZO薄膜电学性能的影响第58-59页
    4.2 外加磁场对GZO薄膜结构及光电性能的影响研究第59-65页
        4.2.1 外加磁场对GZO薄膜晶体结构的影响第60-62页
        4.2.2 外加磁场对GZO薄膜光学性能的影响第62-64页
        4.2.3 外加磁场对GZO薄膜电学性能的影响第64-65页
    4.3 本章小结第65-66页
第五章 总结与展望第66-68页
    5.1 全文总结第66-67页
    5.2 未来展望第67-68页
参考文献第68-72页
攻读硕士学位期间发表的学术论文及取得的相关科研成果第72-73页
致谢第73-74页

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