| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 研究背景 | 第8-9页 |
| 1.2 磁隧道结（MTJ） | 第9-10页 |
| 1.3 自旋角动量转移磁随机存储器（STT-MRAM） | 第10-13页 |
| 1.4 MTJ纳米单元制备工艺方法研究 | 第13-16页 |
| 1.5 课题研究意义及目的 | 第16-17页 |
| 1.6 论文的研究内容及安排 | 第17-18页 |
| 2 制备工艺介绍 | 第18-29页 |
| 2.1 光刻胶及光刻工艺 | 第18-20页 |
| 2.2 溅射工艺 | 第20-21页 |
| 2.3 剥离工艺 | 第21-22页 |
| 2.4 实验仪器设备 | 第22-29页 |
| 3 MTJ纳米单元性能模拟研究 | 第29-37页 |
| 3.1 基于ANSYS的MTJ纳米单元电场分布模拟研究 | 第29-33页 |
| 3.2 基于Magoasis的MTJ纳米单元电致磁化翻转特性模拟研究(26) | 第33-37页 |
| 4 MTJ纳米单元阵列结构设计及样品制备 | 第37-49页 |
| 4.1 MTJ纳米单元阵列结构设计 | 第37-40页 |
| 4.2 膜层材料选择 | 第40-41页 |
| 4.3 MTJ纳米单元制备工艺流程 | 第41-47页 |
| 4.4 制备工艺分析与总结 | 第47-48页 |
| 4.5 小结 | 第48-49页 |
| 5 MTJ纳米单元测试及结果分析 | 第49-53页 |
| 5.1 样品的封装 | 第49页 |
| 5.2 MTJ纳米单元测试结果与分析 | 第49-53页 |
| 6 总结与展望 | 第53-55页 |
| 6.1 全文总结 | 第53页 |
| 6.2 课题展望 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
