| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 引言 | 第10-12页 |
| 1.2 薄膜晶体管的发展历程 | 第12-17页 |
| 1.3 a-IGZO TFT的研究现状 | 第17-21页 |
| 1.4 a-IGZO TFT存在的问题及本论文的主要工作 | 第21-23页 |
| 第2章a-IGZO TFT的基础理论 | 第23-34页 |
| 2.1 a-IGZO薄膜的制备及导电机理 | 第23-27页 |
| 2.1.1 a-IGZO薄膜的制备工艺 | 第23-25页 |
| 2.1.2 a-IGZO薄膜的导电机理 | 第25-26页 |
| 2.1.3 a-IGZO薄膜内部载流子来源 | 第26-27页 |
| 2.2 a-IGZO TFT的基本结构、工作原理及参数 | 第27-34页 |
| 2.2.1 a-IGZO TFT的基本结构 | 第27-30页 |
| 2.2.2 a-IGZO TFT的工作原理 | 第30-32页 |
| 2.2.3 a-IGZO TFT的主要参数 | 第32-34页 |
| 第3章 a-IGZO TFT的制备与优化 | 第34-45页 |
| 3.1 a-IGZO TFT的制备 | 第34-35页 |
| 3.2 器件性能测试设备 | 第35-36页 |
| 3.3 有源层厚度的优化 | 第36-40页 |
| 3.4 退火温度的优化 | 第40-44页 |
| 3.5 小结 | 第44-45页 |
| 第4章 Al_2O_3修饰SiN_x绝缘层提高a-IGZO TFT性能的研究 | 第45-62页 |
| 4.1 Al_2O_3修饰层对a-IGZO TFT器件性能的影响 | 第45-48页 |
| 4.2 Al_2O_3修饰层厚度的优化 | 第48-57页 |
| 4.3 表面形貌分析 | 第57-58页 |
| 4.4 偏压稳定性分析 | 第58-61页 |
| 4.5 小结 | 第61-62页 |
| 第5章 结论 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 作者简介及研究生期间科研成果 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
