IBIS和AMI的建模验证分析研究
摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
符号对照表 | 第12-13页 |
缩略语对照表 | 第13-16页 |
第一章 绪论 | 第16-20页 |
1.1 论文选题意义 | 第16-17页 |
1.2 国内外现状 | 第17-18页 |
1.3 论文主要工作 | 第18-20页 |
第二章 IBIS和AMI相关概述 | 第20-26页 |
2.1 设计初衷 | 第20-21页 |
2.2 基本原理 | 第21-24页 |
2.2.1 IBIS模型概述 | 第21-23页 |
2.2.2 AMI模型概述 | 第23-24页 |
2.3 SERDES的信号完整性仿真 | 第24页 |
2.4 均衡 | 第24-25页 |
2.4.1 均衡原理 | 第25页 |
2.4.2 均衡分类 | 第25页 |
2.5 本章小结 | 第25-26页 |
第三章 IBIS模型的建模验证 | 第26-48页 |
3.1 建模前的准备工作 | 第26-27页 |
3.1.1 了解所建模型的基本信息 | 第26页 |
3.1.2 建模数据的获取方式 | 第26页 |
3.1.3 获取模型“拐角”信息 | 第26-27页 |
3.2 获取IBIS模型数据 | 第27-37页 |
3.2.1 IBIS缓冲器模型的核心组件 | 第27-28页 |
3.2.2 封装寄生参数的提取 | 第28页 |
3.2.3 硅片电容的提取 | 第28-30页 |
3.2.4 I/V曲线的提取 | 第30-34页 |
3.2.5 V/t曲线的提取 | 第34-37页 |
3.3 相关SEDRDES的IBIS建模 | 第37-42页 |
3.3.1 IBIS头文件和元件信息的设置 | 第37-39页 |
3.3.2 缓冲器模型参数设置 | 第39-42页 |
3.4 无源通道模型的级联 | 第42-44页 |
3.4.1 PCB无源通道模型提取 | 第42-43页 |
3.4.2 PCB无源通道模型的级联 | 第43-44页 |
3.5 IBIS模型的验证 | 第44-47页 |
3.5.1 瞬态仿真验证 | 第45-46页 |
3.5.2 通道仿真验证 | 第46-47页 |
3.6 本章小结 | 第47-48页 |
第四章 IBIS-AMI建模可行性 | 第48-70页 |
4.1 AMI建模的需求背景 | 第48页 |
4.2 IBIS-AMI的结构 | 第48-49页 |
4.3 均衡技术在AMI中的应用分析 | 第49-58页 |
4.3.1 前向反馈均衡FFE的应用分析 | 第49-54页 |
4.3.2 连续时间线性均衡器CTLE | 第54-56页 |
4.3.3 判决反馈均衡器DFE | 第56-58页 |
4.4 AMI模型的工作原理 | 第58-68页 |
4.4.1 统计仿真和时域仿真 | 第59-61页 |
4.4.2 IBIS-AMI模型和仿真流程 | 第61-64页 |
4.4.3 IBIS-AMI的参数树和函数的应用 | 第64-68页 |
4.5 本章小结 | 第68-70页 |
第五章 IBIS-AMI的应用验证 | 第70-86页 |
5.1 发送端(TX)的建模验证 | 第72-75页 |
5.2 接收端(RX)的建模验证 | 第75-85页 |
5.3 本章小结 | 第85-86页 |
第六章 总结与展望 | 第86-88页 |
参考文献 | 第88-90页 |
致谢 | 第90-92页 |
作者简介 | 第92-93页 |