第一章 前 言 | 第6-19页 |
1.1 组装功能分子有序膜的重要性 | 第6页 |
1.2 自组装单层膜 | 第6-8页 |
1.3 有序多层膜 | 第8-10页 |
1.4 超薄膜化学修饰电极的发展 | 第10-11页 |
1.5 功能超薄膜修饰电极的制备 | 第11-13页 |
1.6 本论文工作的内容及立意 | 第13-16页 |
参考文献 | 第16-19页 |
第二章 共价键合铁卟啉有序多层膜电极 | 第19-33页 |
2.1 引言 | 第19-20页 |
2.2 实验部分 | 第20-22页 |
2.2.1 试剂 | 第20-21页 |
2.2.2 仪器 | 第21页 |
2.2.3 多层膜的制备方法 | 第21-22页 |
2.3 结果与讨论 | 第22-30页 |
2.3.1 多层膜的组装过程及表征 | 第22-24页 |
2.3.2 多层膜的电化学行为及稳定性分析 | 第24-26页 |
2.3.3 多层膜电极对亚硫酸根的电催化行为 | 第26-30页 |
2.4 结论 | 第30-31页 |
参考文献 | 第31-33页 |
第三章 共价键合钴酞菁有序多层膜电极 | 第33-49页 |
3.1 引言 | 第33-35页 |
3.2 实验部分 | 第35-37页 |
3.2.1 试剂 | 第35页 |
3.2.2 仪器 | 第35-36页 |
3.2.3 多层膜的制备方法 | 第36-37页 |
3.3 结果与讨论 | 第37-46页 |
3.3.1 多层膜的组装过程及表征 | 第37-40页 |
3.3.2 多层膜的电化学行为及对肼的电催化氧化 | 第40-44页 |
3.3.3 多层膜电极的计时电流研究 | 第44-46页 |
3.4 结论 | 第46-47页 |
参考文献 | 第47-49页 |
第四章 共价键合双核钴酞菁有序多层膜电极 | 第49-71页 |
4.1 引言 | 第49-50页 |
4.2 实验部分 | 第50-54页 |
4.2.1 试剂 | 第50-51页 |
4.2.2 多层膜的制备方法 | 第51-53页 |
4.2.3 多层膜的表征方法 | 第53-54页 |
4.3 结果与讨论 | 第54-67页 |
4.3.1 多层膜的制备过程及表征 | 第54-60页 |
4.3.2 多层膜的稳定性分析 | 第60-61页 |
4.3.3 多层膜的表面光电压分析 | 第61-63页 |
4.3.4 多层膜的电化学行为及对三氯乙酸的电催化还原 | 第63-67页 |
4.4 结论 | 第67-68页 |
参考文献 | 第68-71页 |
第五章 水相中通过电化学氧化在玻碳电极表面共价修饰对氨基苯磺酸 | 第71-92页 |
5.1 引言 | 第71-73页 |
5.2 实验部分 | 第73-75页 |
5.2.1 试剂 | 第73页 |
5.2.2 电化学实验方法 | 第73-74页 |
5.2.3 单层膜的修饰方法 | 第74页 |
5.2.4 光电子能谱(XPS)方法 | 第74-75页 |
5.2.5 交流阻抗谱 (EIS)方法 | 第75页 |
5.3 结果与讨论 | 第75-88页 |
5.3.1 GCE表面共价修饰P-ABSA的过程 | 第75-77页 |
5.3.2 P-ABSA/GCE膜的XPS谱表征 | 第77-78页 |
5.3.3 P-ABSA/GCE膜的表面酸碱性(pKa)分析 | 第78-81页 |
5.3.4 不同pH值的缓冲溶液中P-ABS/GCE膜的EIS谱表征 | 第81-83页 |
5.3.5 P-ABS/GCE膜的稳定性分析 | 第83-84页 |
5.3.6 FeTsPP/DAR在P-ABS/GCE膜上的组装及其电化学研究 | 第84-88页 |
5.4 结论 | 第88-89页 |
参考文献 | 第89-92页 |
摘要 | 第92-95页 |
Abstract | 第95页 |
致谢 | 第98-99页 |
附录 | 第99-101页 |