| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-29页 |
| 1.1 Ⅲ族氮化物的性质 | 第13-19页 |
| 1.2 AlGaN基紫外LED | 第19-27页 |
| 1.3 本文的研究内容和章节安排 | 第27-29页 |
| 2 AlGaN基紫外LED的理论与实验研究方法 | 第29-56页 |
| 2.1 AlGaN基紫外LED器件仿真 | 第29-33页 |
| 2.2 AlGaN金属有机气相沉积 | 第33-42页 |
| 2.3 AlGaN基材料及紫外LED器件测试表征方法 | 第42-54页 |
| 2.4 AlGaN基紫外LED芯片制备工艺 | 第54-55页 |
| 2.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 3 AlN模板的外延生长 | 第56-78页 |
| 3.1 已有实验基础 | 第57-62页 |
| 3.2 PALE-AlN工艺研究 | 第62-68页 |
| 3.3 PALE与连续生长结合生长AlN材料 | 第68-73页 |
| 3.4 中温AlN插入层的作用机理研究 | 第73-76页 |
| 3.5 本章小结 | 第76-78页 |
| 4 AlGaN材料的外延生长 | 第78-105页 |
| 4.1 i型AlGaN材料的制备 | 第80-85页 |
| 4.2 采用SiN_x原位掩膜技术制备高Al组分AlGaN | 第85-93页 |
| 4.3 基于超晶格技术的AlGaN制备 | 第93-104页 |
| 4.4 本章小结 | 第104-105页 |
| 5 AlGaN/AlGaN多量子阱结构的外延生长 | 第105-120页 |
| 5.1 AlGaN/AlGaN量子阱阱区厚度对发光的影响 | 第106-114页 |
| 5.2 AlGaN/AlGaN量子阱Si掺杂对发光的影响 | 第114-118页 |
| 5.3 本章小结 | 第118-120页 |
| 6 AlGaN基紫外LED的外延生长 | 第120-143页 |
| 6.1 AlGaN基紫外LED结构理论设计 | 第121-130页 |
| 6.2 290nm UV-LED的外延生长 | 第130-137页 |
| 6.3 其他波段UV-LED的外延生长 | 第137-141页 |
| 6.4 本章小结 | 第141-143页 |
| 7 总结与展望 | 第143-145页 |
| 致谢 | 第145-147页 |
| 参考文献 | 第147-167页 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表论文目录 | 第167-169页 |
