| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 引言 | 第9-11页 |
| 1.2 透明导电薄膜的分类 | 第11-18页 |
| 1.2.1 掺杂系列透明导电薄膜 | 第11-14页 |
| 1.2.2 基于三明治结构系列透明导电薄膜 | 第14-18页 |
| 1.3 本章小结 | 第18-19页 |
| 第二章 透明导电薄膜制备以及表征 | 第19-26页 |
| 2.1 透明导电薄膜制备的一般方法 | 第19-22页 |
| 2.1.1 化学气相沉积(CVD) | 第19-20页 |
| 2.1.2 溶胶-凝胶沉积(Sol-gel) | 第20页 |
| 2.1.3 激光脉冲沉积(PLD) | 第20-21页 |
| 2.1.4 电子束蒸发沉积(EBE) | 第21页 |
| 2.1.5 磁控溅射沉积(MS) | 第21-22页 |
| 2.1.6 分子束外延生长沉积（MBE） | 第22页 |
| 2.2 薄膜结构及性能的表征 | 第22-25页 |
| 2.2.1 薄膜表面形貌的表征 | 第23-24页 |
| 2.2.2 薄膜晶体结构的表征 | 第24页 |
| 2.2.3 薄膜电学性质的表征 | 第24页 |
| 2.2.4 薄膜光学性质的表征 | 第24-25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 FDTD solution仿真方法简介 | 第26-30页 |
| 3.1 软件介绍 | 第26页 |
| 3.2 时域有限差分法（FDTD） | 第26-27页 |
| 3.3 FDTD solution仿真的设计流程 | 第27-29页 |
| 3.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第四章 ZnO和Cu薄膜的制备 | 第30-36页 |
| 4.1 薄膜的制备方法 | 第30-32页 |
| 4.1.1 磁控溅射镀膜设备介绍 | 第30页 |
| 4.1.2 基片清洗 | 第30页 |
| 4.1.3 镀膜流程 | 第30-32页 |
| 4.2 Cu薄膜的制备 | 第32-33页 |
| 4.2.1 功率对Cu薄膜沉积速率的影响 | 第32页 |
| 4.2.2 气压对Cu薄膜沉积速率的影响 | 第32-33页 |
| 4.3 ZnO薄膜的制备 | 第33-35页 |
| 4.3.1 ZnO薄膜沉积速率的计算 | 第33页 |
| 4.3.2 ZnO层表面形貌的研究 | 第33-35页 |
| 4.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第五章 ZnO/Cu/ZnO多层薄膜光电性质的研究 | 第36-42页 |
| 5.1 ZnO/Cu/ZnO薄膜的制备 | 第36-37页 |
| 5.1.1 基底清洗 | 第36页 |
| 5.1.2 镀膜过程 | 第36-37页 |
| 5.2 实验结果与讨论 | 第37-41页 |
| 5.2.1 ZnO层厚度对ZnO/Cu/ZnO多层薄膜光电性质的影响 | 第37-39页 |
| 5.2.2 Cu层厚度对ZnO/Cu/ZnO多层薄膜光电性质的影响 | 第39-41页 |
| 5.2.3 ZnO/Cu/ZnO多层薄膜稳定性的研究 | 第41页 |
| 5.3 本章小结 | 第41-42页 |
| 第六章 总结与展望 | 第42-44页 |
| 6.1 本文工作的总结 | 第42页 |
| 6.2 本论文的创新点 | 第42-43页 |
| 6.3 展望 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-50页 |
| 致谢 | 第50-52页 |
| 在校期间参加的科研项目 | 第52-53页 |
| 在校期间的科研成果 | 第53-54页 |
| 在校期间获奖情况 | 第54页 |
