| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第13-19页 |
| 1.1 选题的意义 | 第13-14页 |
| 1.2 课题的研究现状 | 第14-17页 |
| 1.2.1 材料制备中的磁控溅射技术 | 第14-15页 |
| 1.2.2 经典成核理论 | 第15-16页 |
| 1.2.3 晶体成核理论研究现状 | 第16-17页 |
| 1.2.4 薄膜沉积过程调控 | 第17页 |
| 1.3 课题来源及本文研究的主要内容 | 第17-19页 |
| 第2章 分子动力学模拟方法 | 第19-25页 |
| 2.1 引言 | 第19页 |
| 2.2 分子动力学发展 | 第19-21页 |
| 2.2.1 势函数的发展 | 第19-20页 |
| 2.2.2 算法的发展 | 第20-21页 |
| 2.3 主要系综简介 | 第21-22页 |
| 2.3.1 正则系综(NVT) | 第21-22页 |
| 2.3.2 微正则系综(NVE) | 第22页 |
| 2.3.3 等温等压(NPT) | 第22页 |
| 2.3.4 等压等焓(NPH) | 第22页 |
| 2.3.5 巨正则系综(VTμ) | 第22页 |
| 2.4 分子动力学模拟软件 | 第22-23页 |
| 2.5 本课题模拟方法 | 第23-24页 |
| 2.6 本章小结 | 第24-25页 |
| 第3章 沉积原子在气相中成核机理研究 | 第25-49页 |
| 3.1 引言 | 第25页 |
| 3.2 模型建立 | 第25-27页 |
| 3.3 成核过程随时间的演化 | 第27-32页 |
| 3.3.1 环境温度 300K 下成核过程随时间演化 | 第27-30页 |
| 3.3.2 环境温度 800K 下成核过程随时间演化 | 第30-32页 |
| 3.4 温度对于成核的影响 | 第32-36页 |
| 3.4.1 模拟时间的选定 | 第32-33页 |
| 3.4.2 不同温度下团簇分布 | 第33-34页 |
| 3.4.3 不同温度下团簇中原子数分布 | 第34-36页 |
| 3.5 成核机理初步分析 | 第36-39页 |
| 3.5.1 团簇成核聚集的方式 | 第36-37页 |
| 3.5.2 团簇的活跃性 | 第37-39页 |
| 3.6 成核聚集过程的具体形式 | 第39-45页 |
| 3.6.1 单原子与团簇聚集 | 第40-41页 |
| 3.6.2 活跃团簇与活跃团簇的复杂相互作用 | 第41-43页 |
| 3.6.3 活跃团簇与较大稳定团簇聚集 | 第43页 |
| 3.6.4 活性大团簇吸收较小活性团簇 | 第43-44页 |
| 3.6.5 不活跃团簇之间的排斥作用 | 第44-45页 |
| 3.7 稳定团簇尺寸和形貌分析 | 第45-47页 |
| 3.7.1 稳定团簇尺寸分析 | 第45页 |
| 3.7.2 稳定团簇形貌分析 | 第45-47页 |
| 3.8 本章小结 | 第47-49页 |
| 第4章 薄膜形貌及生长方式调控的研究 | 第49-64页 |
| 4.1 引言 | 第49页 |
| 4.2 扩散速率调控模型的建立 | 第49-54页 |
| 4.2.1 沉积 Ag 原子入射能量的选定 | 第50-52页 |
| 4.2.2 下落时间间隔的确定 | 第52-53页 |
| 4.2.3 模型建立及模拟过程 | 第53-54页 |
| 4.3 调控扩散速率对薄膜生长的影响 | 第54-60页 |
| 4.3.1 沉积 560 个 Ag 原子模拟体系 | 第54-57页 |
| 4.3.2 沉积 1120 个 Ag 原子模拟体系 | 第57-60页 |
| 4.4 基面温度对薄膜生长的影响 | 第60-63页 |
| 4.4.1 扩散速率为 40 时温度对薄膜生长的影响 | 第60-61页 |
| 4.4.2 扩散速率为 80 时温度对成核影响 | 第61-62页 |
| 4.4.3 生长模式分析 | 第62-63页 |
| 4.5 本章小结 | 第63-64页 |
| 结论 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
