曲面微光学结构纳米压印制备技术研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-16页 |
| 1.2.1 硅的各向异性腐蚀技术研究 | 第10-13页 |
| 1.2.2 纳米压印技术研究 | 第13-16页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第16-17页 |
| 第2章 硅的各向异性湿法腐蚀技术研究 | 第17-24页 |
| 2.1 引言 | 第17页 |
| 2.2 硅的晶体结构及其特性 | 第17-19页 |
| 2.2.1 硅的晶面及晶向 | 第17-18页 |
| 2.2.2 硅的晶体结构 | 第18-19页 |
| 2.3 硅的各向异性湿法腐蚀 | 第19-22页 |
| 2.3.1 KOH 腐蚀液 | 第20页 |
| 2.3.2 EPW 腐蚀液 | 第20页 |
| 2.3.3 TMAH 腐蚀液 | 第20-21页 |
| 2.3.4 三种常用腐蚀液对比 | 第21-22页 |
| 2.4 硅微体结构制备流程 | 第22-23页 |
| 2.4.1 制备流程 | 第22页 |
| 2.4.2 对比实验选择 | 第22-23页 |
| 2.5 本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章 硅基微光学结构微纳制备 | 第24-47页 |
| 3.1 引言 | 第24页 |
| 3.2 光刻工艺流程 | 第24-32页 |
| 3.2.1 掩膜板设计及加工 | 第25-26页 |
| 3.2.2 硅基底及掩膜层选取 | 第26页 |
| 3.2.3 掩膜层形成 | 第26-27页 |
| 3.2.4 基片表面预处理 | 第27-28页 |
| 3.2.5 光刻胶选取 | 第28页 |
| 3.2.6 光刻胶涂覆及前烘 | 第28-29页 |
| 3.2.7 曝光及后烘 | 第29-31页 |
| 3.2.8 显影及硬烘 | 第31页 |
| 3.2.9 掩膜层图形转移 | 第31-32页 |
| 3.3 光刻工艺实验参数优化 | 第32-36页 |
| 3.3.1 掩膜层制备 | 第32页 |
| 3.3.2 光刻实验参数 | 第32-33页 |
| 3.3.3 掩膜层转移实验参数 | 第33-36页 |
| 3.4 湿法腐蚀工艺流程 | 第36-45页 |
| 3.4.1 掩膜层对比实验 | 第37-38页 |
| 3.4.2 腐蚀液对比实验 | 第38-40页 |
| 3.4.3 掩膜层厚度对比实验 | 第40-41页 |
| 3.4.4 腐蚀条件控制 | 第41-43页 |
| 3.4.5 腐蚀实验结果 | 第43-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-47页 |
| 第4章 微纳曲面压印 | 第47-61页 |
| 4.1 引言 | 第47页 |
| 4.2 曲面光栅 | 第47-48页 |
| 4.2.1 曲面光栅的优势 | 第47页 |
| 4.2.2 曲面光栅制备方法研究 | 第47-48页 |
| 4.3 柔性纳米压印技术 | 第48-51页 |
| 4.3.1 柔性纳米压印技术原理 | 第48-50页 |
| 4.3.2 本课题柔性纳米压印实验流程设计 | 第50-51页 |
| 4.4 柔性纳米压印的影响因素 | 第51-55页 |
| 4.4.1 柔性纳米压印设备 | 第51-52页 |
| 4.4.2 透明柔性印模 | 第52-54页 |
| 4.4.3 压印胶 | 第54-55页 |
| 4.4.4 压印基底 | 第55页 |
| 4.5 实验结果 | 第55-60页 |
| 4.5.1 压印实验过程 | 第55-57页 |
| 4.5.2 实验结果 | 第57-60页 |
| 4.6 本章小结 | 第60-61页 |
| 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
