| 摘要 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 拓扑绝缘体介绍 | 第10-11页 |
| 1.2 拓扑绝缘体研究现状 | 第11-13页 |
| 1.3 拓扑绝缘体输运性质研究 | 第13-16页 |
| 1.3.1 弱反局域化(WAL)和弱局域化效应(WL) | 第13-15页 |
| 1.3.2 SdH振荡 | 第15-16页 |
| 1.4 当前存在的问题 | 第16-17页 |
| 1.5 实验的主要思路 | 第17-18页 |
| 参考文献 | 第18-21页 |
| 第二章 实验 | 第21-24页 |
| 2.1 熔融法 | 第21页 |
| 2.2 实验分析表征手段 | 第21-24页 |
| 2.2.1 X射线衍射 | 第21页 |
| 2.2.2 Raman测试 | 第21-22页 |
| 2.2.3 SQUID(超导量子干涉仪) | 第22页 |
| 2.2.4 PPMS(物性综合测量系统) | 第22页 |
| 2.2.5 X射线电子能谱仪(XPS) | 第22-23页 |
| 2.2.6 电感耦合等离子发射质谱仪(ICP-OES) | 第23-24页 |
| 第三章 Bi_2Se_3材料过渡金属掺杂及其输运性质的研究 | 第24-40页 |
| 3.1 实验原料及实验设备 | 第24-25页 |
| 3.1.1 原料 | 第24页 |
| 3.1.2 实验装置及温度控制 | 第24-25页 |
| 3.2 实验流程 | 第25页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第25-35页 |
| 3.3.1 (Bi_(0.9)Fe_(0.1))_2Se_3样品X射线衍射谱 | 第25-26页 |
| 3.3.2 样品的Raman分析 | 第26-27页 |
| 3.3.3 磁性测试(SQUID) | 第27-28页 |
| 3.3.4 输运性质的测量及分析 | 第28-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-37页 |
| 参考文献 | 第37-40页 |
| 第四章 Bi_2Te_2Se材料过渡金属掺杂及其线性磁阻研究 | 第40-50页 |
| 4.1 引言 | 第40页 |
| 4.2 实验 | 第40页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第40-43页 |
| 4.4 实验设计 | 第43-46页 |
| 4.5 本章小结 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 第五章 总结与展望 | 第50-55页 |
| 5.1 研究现状 | 第50-51页 |
| 5.2 文章概要与存在的问题 | 第51页 |
| 5.3 未来发展 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
