摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第12-14页 |
第二章 文献综述 | 第14-28页 |
2.1 太阳能电池 | 第14-17页 |
2.2 石墨烯的合成 | 第17-20页 |
2.3 石墨烯/半导体太阳能电池简介 | 第20-26页 |
2.4 本文研究问题的提出 | 第26-28页 |
第三章 实验方法 | 第28-36页 |
3.1 实验方案 | 第28-29页 |
3.1.1 Gr/GaAs电池的电极优化及表面钝化工艺 | 第28页 |
3.1.2 P3HT作为空穴传输层对Gr/GaAs太阳能电池的影响 | 第28页 |
3.1.3 r-GO薄膜光电学性能优化及r-GO/Si异质结电池的制备 | 第28-29页 |
3.2 实验设备及测试仪器 | 第29-34页 |
3.2.1 石墨烯化学气相生长系统 | 第29页 |
3.2.2 热蒸发镀膜系统 | 第29-30页 |
3.2.3 直流反应磁控溅射系统 | 第30页 |
3.2.4 扫描电子显微镜 | 第30页 |
3.2.5 X射线光电子能谱仪 | 第30-31页 |
3.2.6 拉曼光谱仪 | 第31-32页 |
3.2.7 四探针测试仪 | 第32页 |
3.2.8 电流-电压特性曲线测试系统 | 第32页 |
3.2.9 量子效率测试系统 | 第32-33页 |
3.2.10 原子力显微镜 | 第33页 |
3.2.11 透射电子显微镜 | 第33页 |
3.2.12 其他设备 | 第33-34页 |
3.3 CVD石墨烯的制备与转移 | 第34-36页 |
第四章 Gr/GaAs肖特基结太阳能电池 | 第36-48页 |
摘要 | 第36页 |
4.1 引言 | 第36页 |
4.2 实验步骤 | 第36-38页 |
4.2.1 石墨烯薄膜生长及转移 | 第36-37页 |
4.2.2 砷化镓背电极热退火及电池制备 | 第37页 |
4.2.3 砷化镓不同背电极及电池制备 | 第37页 |
4.2.4 表面钝化对电池性能的影响 | 第37-38页 |
4.2.5 材料及器件表征 | 第38页 |
4.3 结果与讨论 | 第38-46页 |
4.3.1 石墨烯性能表征 | 第38-40页 |
4.3.2 背电极的热处理对电池性能的影响 | 第40-41页 |
4.3.3 背接触电极的选取 | 第41-45页 |
4.3.4 表面钝化对电池性能的影响 | 第45-46页 |
4.4 本章小结 | 第46-48页 |
第五章 P3HT作为空穴传输层对Gr/GaAs肖特基太阳能电池的影响 | 第48-64页 |
摘要 | 第48页 |
5.1 引言 | 第48-49页 |
5.2 实验步骤 | 第49-50页 |
5.2.1 石墨烯薄膜生长及转移 | 第49页 |
5.2.2 二氧化钛溶胶的合成 | 第49页 |
5.2.3 电池器件组装 | 第49-50页 |
5.2.4 材料及器件表征 | 第50页 |
5.3 结果与讨论 | 第50-61页 |
5.3.1 材料性能表征 | 第50-52页 |
5.3.2 P3HT层对Gr/GaAs电池性能影响 | 第52-55页 |
5.3.3 P3HT层厚度优化 | 第55-57页 |
5.3.4 TFSA掺杂及TiO_2减反射薄膜对电池性能的影响 | 第57-61页 |
5.4 本章小结 | 第61-64页 |
第六章 还原石墨烯薄膜/硅肖特基结太阳能电池 | 第64-78页 |
摘要 | 第64页 |
6.1 引言 | 第64-65页 |
6.2 实验步骤 | 第65-66页 |
6.2.1 还原石墨烯薄膜的合成与表征 | 第65-66页 |
6.2.2 太阳能电池组装及测试 | 第66页 |
6.3 结果与讨论 | 第66-76页 |
6.3.1 还原石墨烯薄膜的微观形貌表征 | 第66-68页 |
6.3.2 还原石墨烯薄膜的元素组成及结构表征 | 第68-70页 |
6.3.3 还原温度及薄膜厚度对还原石墨烯薄膜的光电性能影响 | 第70-72页 |
6.3.4 还原温度及薄膜厚度对r-GO/Si电池性能影响 | 第72-75页 |
6.3.5 r-GO/Si与GO/Si、CVD-Gr/Si电池性能对比 | 第75-76页 |
6.4 本章小结 | 第76-78页 |
第七章 全文总结 | 第78-80页 |
参考文献 | 第80-86页 |
致谢 | 第86-88页 |
个人简介 | 第88-90页 |
攻读硕士学位期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第90页 |