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石墨烯/半导体肖特基结太阳能电池

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第一章 绪论第12-14页
第二章 文献综述第14-28页
    2.1 太阳能电池第14-17页
    2.2 石墨烯的合成第17-20页
    2.3 石墨烯/半导体太阳能电池简介第20-26页
    2.4 本文研究问题的提出第26-28页
第三章 实验方法第28-36页
    3.1 实验方案第28-29页
        3.1.1 Gr/GaAs电池的电极优化及表面钝化工艺第28页
        3.1.2 P3HT作为空穴传输层对Gr/GaAs太阳能电池的影响第28页
        3.1.3 r-GO薄膜光电学性能优化及r-GO/Si异质结电池的制备第28-29页
    3.2 实验设备及测试仪器第29-34页
        3.2.1 石墨烯化学气相生长系统第29页
        3.2.2 热蒸发镀膜系统第29-30页
        3.2.3 直流反应磁控溅射系统第30页
        3.2.4 扫描电子显微镜第30页
        3.2.5 X射线光电子能谱仪第30-31页
        3.2.6 拉曼光谱仪第31-32页
        3.2.7 四探针测试仪第32页
        3.2.8 电流-电压特性曲线测试系统第32页
        3.2.9 量子效率测试系统第32-33页
        3.2.10 原子力显微镜第33页
        3.2.11 透射电子显微镜第33页
        3.2.12 其他设备第33-34页
    3.3 CVD石墨烯的制备与转移第34-36页
第四章 Gr/GaAs肖特基结太阳能电池第36-48页
    摘要第36页
    4.1 引言第36页
    4.2 实验步骤第36-38页
        4.2.1 石墨烯薄膜生长及转移第36-37页
        4.2.2 砷化镓背电极热退火及电池制备第37页
        4.2.3 砷化镓不同背电极及电池制备第37页
        4.2.4 表面钝化对电池性能的影响第37-38页
        4.2.5 材料及器件表征第38页
    4.3 结果与讨论第38-46页
        4.3.1 石墨烯性能表征第38-40页
        4.3.2 背电极的热处理对电池性能的影响第40-41页
        4.3.3 背接触电极的选取第41-45页
        4.3.4 表面钝化对电池性能的影响第45-46页
    4.4 本章小结第46-48页
第五章 P3HT作为空穴传输层对Gr/GaAs肖特基太阳能电池的影响第48-64页
    摘要第48页
    5.1 引言第48-49页
    5.2 实验步骤第49-50页
        5.2.1 石墨烯薄膜生长及转移第49页
        5.2.2 二氧化钛溶胶的合成第49页
        5.2.3 电池器件组装第49-50页
        5.2.4 材料及器件表征第50页
    5.3 结果与讨论第50-61页
        5.3.1 材料性能表征第50-52页
        5.3.2 P3HT层对Gr/GaAs电池性能影响第52-55页
        5.3.3 P3HT层厚度优化第55-57页
        5.3.4 TFSA掺杂及TiO_2减反射薄膜对电池性能的影响第57-61页
    5.4 本章小结第61-64页
第六章 还原石墨烯薄膜/硅肖特基结太阳能电池第64-78页
    摘要第64页
    6.1 引言第64-65页
    6.2 实验步骤第65-66页
        6.2.1 还原石墨烯薄膜的合成与表征第65-66页
        6.2.2 太阳能电池组装及测试第66页
    6.3 结果与讨论第66-76页
        6.3.1 还原石墨烯薄膜的微观形貌表征第66-68页
        6.3.2 还原石墨烯薄膜的元素组成及结构表征第68-70页
        6.3.3 还原温度及薄膜厚度对还原石墨烯薄膜的光电性能影响第70-72页
        6.3.4 还原温度及薄膜厚度对r-GO/Si电池性能影响第72-75页
        6.3.5 r-GO/Si与GO/Si、CVD-Gr/Si电池性能对比第75-76页
    6.4 本章小结第76-78页
第七章 全文总结第78-80页
参考文献第80-86页
致谢第86-88页
个人简介第88-90页
攻读硕士学位期间发表的学术论文与取得的其他研究成果第90页

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