| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第15-25页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第15-18页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第18-22页 |
| 1.2.1 TEV测量 | 第18-19页 |
| 1.2.2 TEV波形特性 | 第19页 |
| 1.2.3 GIS设备元件的建模 | 第19-21页 |
| 1.2.4 VFTO、TEV仿真计算 | 第21-22页 |
| 1.3 论文主要工作 | 第22-25页 |
| 第2章 瞬态外壳电压测量装置的研制 | 第25-47页 |
| 2.1 TEV定义及测量要求 | 第25-29页 |
| 2.1.1 TEV定义及测量布线 | 第25-27页 |
| 2.1.2 TEV典型波形特征和测量要求 | 第27-29页 |
| 2.2 TEV测量装置的研制 | 第29-33页 |
| 2.2.1 测量方法 | 第29-30页 |
| 2.2.2 测量装置构成 | 第30-33页 |
| 2.2.3 测量装置工作流程 | 第33页 |
| 2.3 TEV测量装置的性能测试及电磁兼容与绝缘耐压试验 | 第33-39页 |
| 2.3.1 工频与雷击冲击电压测试试验 | 第34-35页 |
| 2.3.2 带宽与方波响应测试试验 | 第35-36页 |
| 2.3.3 屏蔽效能测试试验 | 第36-38页 |
| 2.3.4 电磁兼容与绝缘耐压试验 | 第38页 |
| 2.3.5 TEV测量装置主要性能参数 | 第38-39页 |
| 2.4 测量/接地屏蔽电缆长度的选取 | 第39-46页 |
| 2.4.1 TEV测量装置的等效电路 | 第39-40页 |
| 2.4.2 屏蔽电缆的等效电路 | 第40-43页 |
| 2.4.3 屏蔽电缆长度的选取 | 第43-46页 |
| 2.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 第3章 1000kV特高压交流气体绝缘开关设备中瞬态外壳电压特性 | 第47-79页 |
| 3.1 TEV特性试验与测量布置 | 第47-51页 |
| 3.1.1 1000kV特高压交流GIS设备试验回路及TEV测量点布置 | 第47-49页 |
| 3.1.2 TEV试验内容与测量 | 第49-51页 |
| 3.2 TEV波形特征 | 第51-64页 |
| 3.2.1 统计分析方法 | 第51页 |
| 3.2.2 全过程波形 | 第51-54页 |
| 3.2.3 单脉冲波形 | 第54-57页 |
| 3.2.4 幅值 | 第57-62页 |
| 3.2.5 沿外壳分布特征 | 第62-64页 |
| 3.3 击穿电压、VFTO与TEV的关联性 | 第64-73页 |
| 3.3.1 击穿电压与VFTO和TEV的关系 | 第64-65页 |
| 3.3.2 TEV与VFTO的相关性 | 第65-66页 |
| 3.3.3 击穿电压与过冲电压、VFTO和TEV的幅值关系 | 第66-73页 |
| 3.4 TEV典型波形及其参数定义 | 第73-77页 |
| 3.4.1 TEV典型波形 | 第73-76页 |
| 3.4.2 TEV典型波形参数的统计特性 | 第76-77页 |
| 3.5 本章小结 | 第77-79页 |
| 第4章 1000V特高压交流气体绝缘开关设备的VFTO和TEV联合建模与仿真 | 第79-110页 |
| 4.1 GIS设备主要元件的宽频等效电路模型 | 第79-95页 |
| 4.1.1 建模思想 | 第79-85页 |
| 4.1.2 GIS管母线 | 第85-89页 |
| 4.1.3 绝缘法兰 | 第89-90页 |
| 4.1.4 隔离开关 | 第90-92页 |
| 4.1.5 GIS套管 | 第92-93页 |
| 4.1.6 L型和T型管母线 | 第93-94页 |
| 4.1.7 架空线及线圈类负载 | 第94-95页 |
| 4.2 接地支柱和接地网的宽频等效电路模型 | 第95-99页 |
| 4.2.1 接地支柱 | 第95-97页 |
| 4.2.2 接地网 | 第97-99页 |
| 4.3 VFTO和TEV联合仿真模型 | 第99-103页 |
| 4.3.1 多导体传输线模型 | 第100-102页 |
| 4.3.2 VFTO和TEV联合仿真模型 | 第102-103页 |
| 4.4 VFTO和TEV联合仿真分析 | 第103-109页 |
| 4.4.1 TEV和VFTO仿真计算 | 第104-105页 |
| 4.4.2 TEV仿真计算结果 | 第105-107页 |
| 4.4.3 VFTO仿真计算结果 | 第107-109页 |
| 4.5 本章小结 | 第109-110页 |
| 第5章 TEV和VFTO的影响因素及抑制措施 | 第110-118页 |
| 5.1 TEV和VFTO的影响因素分析 | 第110-116页 |
| 5.1.1 仿真计算条件 | 第110-111页 |
| 5.1.2 绝缘法兰处电磁泄漏 | 第111-112页 |
| 5.1.3 GIS套管处电磁泄漏 | 第112-113页 |
| 5.1.4 隔离开关的阻尼电阻 | 第113-114页 |
| 5.1.5 GIS分支母线长度 | 第114-115页 |
| 5.1.6 GIS管母线波阻抗 | 第115页 |
| 5.1.7 GIS接地支柱 | 第115-116页 |
| 5.1.8 GIS设备对地高度 | 第116页 |
| 5.2 TEV和VFTO的抑制措施 | 第116-117页 |
| 5.3 本章小结 | 第117-118页 |
| 第6章 结论与展望 | 第118-120页 |
| 参考文献 | 第120-129页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第129-130页 |
| 攻读博士学位期间参加的科研工作 | 第130-131页 |
| 致谢 | 第131-132页 |
| 作者简介 | 第132页 |
