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化学浴沉积法制备择优取向生长ZnO薄膜及物性研究

摘要第5-7页
Abstract第7-9页
第1章 绪论第13-23页
    1.1 研究背景第13-14页
    1.2 ZnO的性质第14-17页
        1.2.1 晶体结构和基本性质第14-16页
        1.2.2 ZnO的电子能带及固有缺陷第16-17页
    1.3 ZnO薄膜的应用第17-19页
        1.3.1 压电器件第18页
        1.3.2 太阳能电池第18-19页
        1.3.3 气敏元件第19页
    1.4 ZnO薄膜制备技术第19-21页
        1.4.1 分子束外延法第19页
        1.4.2 磁控溅射法第19-20页
        1.4.3 脉冲激光沉积法第20页
        1.4.4 金属有机气相化学沉积法第20-21页
    1.5 本论文的研究目的及意义第21-23页
第2章 实验原理与表征方法第23-35页
    2.1 溶胶-凝胶技术基本原理第23-26页
        2.1.1 Sol-Gel法制备ZnO薄膜的生长机制第23-25页
        2.1.2 Sol-Gel法的工艺过程第25-26页
    2.2 化学浴沉积法制备ZnO薄膜的基本原理第26-28页
    2.3 表征方法及基本原理第28-35页
        2.3.1 X射线衍射分析第28-30页
        2.3.2 扫描电子显微镜分析第30-31页
        2.3.3 原子力显微镜分析第31-32页
        2.3.4 表面润湿性分析第32-33页
        2.3.5 光致发光分析第33页
        2.3.6 紫外-可见光光谱分析技术第33-35页
第3章 ZnO非极性薄膜的制备研究第35-69页
    3.0 前言第35页
    3.1 化学试剂与实验设备第35-36页
        3.1.1 化学试剂第35-36页
        3.1.2 实验设备第36页
    3.2 种子层的影响第36-53页
        3.2.1 烧结温度第36-40页
        3.2.2 前驱液中MEA/Zn~(2+)第40-45页
        3.2.3 旋涂次数第45-47页
        3.2.4 陈化温度第47-50页
        3.2.5 溶剂种类第50-53页
        3.2.6 小结第53页
    3.3 化学浴过程的影响第53-66页
        3.3.1 醇的影响第53-61页
            3.3.1.1 醇的种类第53-56页
            3.3.1.2 醇的含量第56-61页
        3.3.2 非极性辅助剂的影响第61-66页
            3.3.2.1 非极性辅助剂的种类第61-63页
            3.3.2.2 非极性辅助剂的含量第63-66页
        3.3.3 小结第66页
    3.4 种子层和化学浴过程交互影响第66-69页
第4章 ZnO择优取向生长薄膜物性研究第69-77页
    4.1 晶体结构及表面形貌特性第69-73页
    4.2 表面润湿性第73-74页
    4.3 光学性能第74-76页
        4.3.1 透射率第74-75页
        4.3.2 光致发光第75-76页
    4.4 小结第76-77页
第5章 结论与展望第77-79页
    5.1 结论第77-78页
    5.2 展望第78-79页
参考文献第79-85页
致谢第85页

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