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晶体缺陷对金属涂层阻尼性能影响的分子动力学研究

摘要第6-8页
ABSTRACT第8页
第1章 绪论第13-27页
    1.1 引言第13-15页
    1.2 阻尼机理介绍第15-22页
        1.2.1 阻尼性能的定义第15页
        1.2.2 阻尼性能的表征第15-20页
        1.2.3 内耗(阻尼)机制分类第20页
        1.2.4 内耗(阻尼)与晶体结构的关系第20-22页
    1.3 涂层阻尼性能研究现状第22-26页
    1.4 课题研究的内容、方法及意义第26-27页
第2章 分子动力学模拟方法第27-43页
    2.1 引言第27-28页
    2.2 分子动力学模拟的基本原理第28-30页
        2.2.1 牛顿运动方程第29页
        2.2.2 数值求解方法第29-30页
    2.3 分子动力学的具体实现第30-36页
        2.3.1 边界条件第30-31页
        2.3.2 势函数第31-33页
        2.3.3 热力学系综第33-34页
        2.3.4 调控方法第34-36页
        2.3.5 一般性模拟步骤第36页
    2.4 缺陷的判定方法第36-39页
        2.4.1 中心对称参数法第37页
        2.4.2 配位数判断法第37-38页
        2.4.3 Ackland判据第38页
        2.4.4 局部能量法第38页
        2.4.5 局部晶序法第38-39页
    2.5 应力计算方法第39-40页
    2.6 本章小结第40-43页
第3章 铜的分子动力学建模第43-57页
    3.1 引言第43-44页
    3.2 模型建立第44-49页
        3.2.1 无缺陷完美铜晶体模型第45页
        3.2.2 含空位的铜晶体模型第45-46页
        3.2.3 内嵌位错的铜晶体模型第46-47页
        3.2.4 含双晶结构的铜晶界模型第47-48页
        3.2.5 内嵌微裂纹的铜晶体模型第48-49页
    3.3 弛豫分析第49-51页
    3.4 原子势函数第51-54页
        3.4.1 本文势函数的选择第51-53页
        3.4.2 模拟可靠性分析第53-54页
    3.5 本文模拟系综和调控方式第54-55页
    3.6 加载与卸载实现方式第55-56页
    3.7 本章小结第56-57页
第4章 缺陷对铜材料力学性能的影响第57-87页
    4.1 引言第57-58页
    4.2 完美晶体模型的应变能及微观构型第58-59页
    4.3 空位对能量耗散的影响第59-65页
        4.3.1 含空位晶体模型的应变能及微观构型第59-62页
        4.3.2 回弹模量和韧性模量第62-63页
        4.3.3 温度对能量耗散的影响第63-65页
    4.4 位错对能量耗散的影响第65-75页
        4.4.1 内嵌初始刃型位错的应变能及微观构型第65-67页
        4.4.2 先前历史形成的螺旋位错第67-69页
        4.4.3 储存应变能统计第69-71页
        4.4.4 回弹模量和韧性模量第71-73页
        4.4.5 温度对能量耗散的影响第73-75页
    4.5 双晶结构对能量耗散的影响第75-80页
        4.5.1 双晶铜模型的应变能及微观构型第75-77页
        4.5.2 回弹模量和韧性模量第77-78页
        4.5.3 温度对能量耗散的影响第78-80页
    4.6 内嵌微裂纹对能量耗散的影响第80-85页
        4.6.1 内嵌微裂纹模型的应变能及微观构型第80-82页
        4.6.2 回弹模量和韧性模量第82-84页
        4.6.3 温度对能量耗散的影响第84-85页
    4.7 本章小结第85-87页
第5章 铜涂层力学性能研究第87-97页
    5.1 引言第87页
    5.2 实验方案及设备第87-89页
        5.2.1 试样制备设备第88页
        5.2.2 原位加载扫描电镜第88-89页
    5.3 涂层试样制备与表征第89-91页
        5.3.1 制备工艺第89-90页
        5.3.2 微观形貌观察与分析第90-91页
    5.4 原位加载卸载的力学性能测试及微观结构第91-95页
    5.5 阻尼性能分析第95-96页
    5.6 本章小结第96-97页
第6章 结论与展望第97-99页
    6.1 结论第97-98页
    6.2 展望第98-99页
参考文献第99-109页
致谢第109页

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