| 致谢 | 第5-7页 |
| 摘要 | 第7-9页 |
| Abstract | 第9-11页 |
| 1 绪论 | 第15-36页 |
| 1.1 引言 | 第15-16页 |
| 1.2 单纵模激射理论 | 第16-23页 |
| 1.3 波长可调谐半导体激光器 | 第23-30页 |
| 1.4 双波长半导体激光器 | 第30-32页 |
| 1.5 本论文的章节安排 | 第32-33页 |
| 1.6 本论文的创新点 | 第33-36页 |
| 2 四分之一波耦合与半波耦合激光器 | 第36-63页 |
| 2.1 四分之一波与半波耦合激光器的研究背景 | 第36-37页 |
| 2.2 传输矩阵模型和时域耦合模理论 | 第37-40页 |
| 2.2.1 以单环为例的传输矩阵理论计算 | 第37-38页 |
| 2.2.2 以单环为例的时域耦合模理论计算 | 第38-40页 |
| 2.3 四分之一波及半波耦合器的传输矩阵分析 | 第40-46页 |
| 2.3.1 无源腔滤波特性 | 第40-45页 |
| 2.3.2 有源腔激射特性 | 第45-46页 |
| 2.4 四分之一波及半波耦合激光器的时域耦合模分析 | 第46-56页 |
| 2.5 有源耦合腔激光器的耦合相位分析 | 第56-59页 |
| 2.6 暗态激光器与宇称-时间对称激光器的关系 | 第59-61页 |
| 2.7 本章小结 | 第61-63页 |
| 3 刻蚀槽耦合激光器的理论分析 | 第63-92页 |
| 3.1 刻蚀槽耦合激光器的研究背景 | 第63-65页 |
| 3.2 两段式刻蚀槽耦合SFP阈值以下分析 | 第65-67页 |
| 3.3 两段式刻蚀槽耦合SFP的模式竞争分析 | 第67-83页 |
| 3.3.1 模式竞争理论 | 第67-70页 |
| 3.3.2 无损刻蚀槽耦合激光器模式竞争分析 | 第70-76页 |
| 3.3.3 有损刻蚀槽耦合激光器模式竞争分析 | 第76-83页 |
| 3.4 三段式有损刻蚀槽耦合SFP分析 | 第83-90页 |
| 3.4.1 刻蚀槽损耗对激光器选模特性的影响 | 第84-87页 |
| 3.4.2 滤波器增益及端面反射对激光器选模特性的影响 | 第87-90页 |
| 3.5 本章小结 | 第90-92页 |
| 4 刻蚀槽耦合激光器的设计与制作工艺 | 第92-118页 |
| 4.1 波导设计 | 第94-96页 |
| 4.2 刻蚀槽设计 | 第96-102页 |
| 4.3 实验室工艺 | 第102-103页 |
| 4.4 代工工艺 | 第103-105页 |
| 4.5 工艺优化 | 第105-117页 |
| 4.5.1 光刻 | 第105-109页 |
| 4.5.2 刻蚀 | 第109-114页 |
| 4.5.3 量子阱混杂 | 第114-117页 |
| 4.6 本章小结 | 第117-118页 |
| 5 刻蚀槽耦合激光器测试 | 第118-151页 |
| 5.1 粗波分复用激光器的研究背景 | 第118-119页 |
| 5.2 三段式耦合刻蚀槽单纵模激光器 | 第119-146页 |
| 5.2.1 激光器参数 | 第119-121页 |
| 5.2.2 静态测试 | 第121-135页 |
| 5.2.3 高频测试 | 第135-146页 |
| 5.3 四段式耦合刻蚀槽双波长激光器 | 第146-150页 |
| 5.4 本章小结 | 第150-151页 |
| 6 总结与展望 | 第151-154页 |
| 6.1 本文总结 | 第151-152页 |
| 6.2 对未来工作的展望 | 第152-154页 |
| 参考文献 | 第154-163页 |
| 作者简介 | 第163-164页 |