离子注入剥离法制备单晶铌酸锂薄膜研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-22页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 LN材料的介绍 | 第12-14页 |
| 1.2.1 LN的晶体结构及物理特性 | 第12-14页 |
| 1.2.2 LN薄膜的优势 | 第14页 |
| 1.3 单晶LN薄膜的制备 | 第14-17页 |
| 1.3.1 传统LN薄膜生长技术 | 第15-16页 |
| 1.3.2 单晶LN薄膜离子注入剥离技术 | 第16-17页 |
| 1.4 离子注入剥离技术的发展 | 第17-20页 |
| 1.5 本论文的主要工作 | 第20-22页 |
| 第二章 基本原理与实验方法 | 第22-29页 |
| 2.1 BCB胶键合 | 第22-23页 |
| 2.2 离子注入剥离 | 第23-24页 |
| 2.3 测试方法及基本原理 | 第24-29页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜 | 第24-25页 |
| 2.3.2 能谱仪(EDS) | 第25-26页 |
| 2.3.3 原子力显微镜 | 第26-27页 |
| 2.3.4 X射线衍射 | 第27-29页 |
| 第三章 LN晶片在Si衬底上的异质键合 | 第29-46页 |
| 3.1 异质键合工艺流程 | 第29-30页 |
| 3.2 预键合工艺 | 第30-33页 |
| 3.2.1 预键合工艺对键合层的影响 | 第31-32页 |
| 3.2.2 预键合小结 | 第32-33页 |
| 3.3 异质键合工艺的研究 | 第33-44页 |
| 3.3.1 键合压力对键合层的影响 | 第34-37页 |
| 3.3.2 键合升温速率对键合质量的影响 | 第37-41页 |
| 3.3.3 固化温度对键合层的影响 | 第41-43页 |
| 3.3.4 固化时间对键合层的影响 | 第43-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 第四章 离子注入剥离工艺研究 | 第46-63页 |
| 4.1 工艺流程 | 第46-47页 |
| 4.2 注He~+的LN晶片退火研究 | 第47-50页 |
| 4.3 注He~+的LN晶片键合剥离研究 | 第50-60页 |
| 4.3.1 键合压力对注入剥离的影响 | 第50-54页 |
| 4.3.2 退火温度对注入剥离的影响 | 第54-56页 |
| 4.3.3 键合后升温曲线对注入剥离的影响 | 第56-58页 |
| 4.3.4 退火降温曲线对注入剥离的影响 | 第58-59页 |
| 4.3.5 不同注入剂量对注入剥离的影响 | 第59-60页 |
| 4.4 单晶LN薄膜压电系数测试 | 第60-62页 |
| 4.5 本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 结论与展望 | 第63-65页 |
| 5.1 结论 | 第63-64页 |
| 5.2 展望 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 攻读硕士期间取得的成果 | 第70-71页 |
