高功率激光驱动器偏振匀滑技术研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-20页 |
| 1.1 惯性约束聚变的基本概念 | 第8-10页 |
| 1.2 激光惯性约束核聚变简介 | 第10-11页 |
| 1.3 高功率激光驱动器发展概况 | 第11-12页 |
| 1.4 研究束匀滑技术的意义 | 第12-14页 |
| 1.5 偏振匀滑技术的发展现状 | 第14-16页 |
| 1.5.1 双折射楔偏分离器 | 第14-15页 |
| 1.5.2 偏振光控制板 | 第15页 |
| 1.5.3 应力双折射器 | 第15-16页 |
| 1.6 偏振匀滑技术国内研究现状 | 第16-19页 |
| 1.7 本论文的主要内容和目标 | 第19-20页 |
| 2 光束偏振匀滑技术 | 第20-35页 |
| 2.1 不同驱动方式对光束匀滑技术的需求 | 第20-23页 |
| 2.1.1 直接驱动 | 第20-21页 |
| 2.1.2 间接驱动 | 第21-23页 |
| 2.2 偏振匀滑技术在大型激光装置中的实现方式 | 第23-27页 |
| 2.2.1 三倍频KDP楔 | 第24-25页 |
| 2.2.2 三倍频近Z切割KDP平板 | 第25页 |
| 2.2.3 基频集束偏振旋转 | 第25-26页 |
| 2.2.4 三倍频阵列化偏振旋转 | 第26-27页 |
| 2.3 焦斑空间频率全域匀滑的近场偏振态分布 | 第27-28页 |
| 2.4 线偏振光通过单轴晶体的偏振特性 | 第28-29页 |
| 2.5 焦斑功率谱与光束近场之间存在的理论关系 | 第29-31页 |
| 2.6 楔形晶体的偏振匀滑器件设计 | 第31-32页 |
| 2.7 平板的偏振匀滑器件设计 | 第32-34页 |
| 2.8 本章小结 | 第34-35页 |
| 3 平板匀滑器件在线验证 | 第35-47页 |
| 3.1 SG-Ⅲ主机装置终端组件和KDP晶体 | 第35-38页 |
| 3.2 元件材料的选择与晶体切割方式 | 第38-39页 |
| 3.3 偏振匀滑技术在SG-Ⅲ主机装置的实现 | 第39-45页 |
| 3.3.1 实验条件 | 第41-42页 |
| 3.3.2 焦斑匀滑效果判断 | 第42-44页 |
| 3.3.3 焦斑分离参数测试 | 第44-45页 |
| 3.3.4 PS元件横向SRS效应判断 | 第45页 |
| 3.4 结论 | 第45-46页 |
| 3.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 4 基于液晶的偏振匀滑技术 | 第47-57页 |
| 4.1 使用液晶材料的偏振匀滑研究 | 第47页 |
| 4.2 液晶器件的分子取向 | 第47-49页 |
| 4.3 实现复杂分子取向模式的技术 | 第49-51页 |
| 4.4 液晶匀滑器件在高功率激光装置的应用 | 第51-56页 |
| 4.4.1 液晶匀滑器件的理论分析 | 第51-54页 |
| 4.4.2 液晶匀滑器件实验分析 | 第54-56页 |
| 4.4.3 液晶匀滑器件的使用前景 | 第56页 |
| 4.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 5 结论与展望 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 附录 | 第66页 |
