| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 引言 | 第10-12页 |
| 2 理论基础 | 第12-16页 |
| ·密度泛函理论 | 第12-13页 |
| ·Rayleigh – Schr?dinger微扰理论 | 第13页 |
| ·电子密度拓扑理论 | 第13-15页 |
| ·多电子体系的电子密度分布函数 | 第13-14页 |
| ·拉普拉斯量 | 第14页 |
| ·关键点 | 第14-15页 |
| ·分子生成密度差理论 | 第15-16页 |
| 3 关于加强乙硼烷的桥氢原子和氨分子之间形成的H_b···N氢键的理论研究 | 第16-29页 |
| ·计算方法 | 第17页 |
| ·分子表面静电势 | 第17-20页 |
| ·几何构型和能量分析 | 第20-25页 |
| ·复合物几何构型分析 | 第20-23页 |
| ·能量分析 | 第23-25页 |
| ·复合物的键鞍点处的电子密度拓扑分析 | 第25-28页 |
| ·结论 | 第28-29页 |
| 4 M···N(M=Al, Ga, In)键的 σ-hole和 π-hole相互作用的对比研究 | 第29-43页 |
| ·计算方法 | 第30页 |
| ·分子表面静电势分析 | 第30-32页 |
| ·构型和相互作用能分析 | 第32-34页 |
| ·第三主族的 σ-hole和 π-hole相互作用的QTAIM分析 | 第34-35页 |
| ·能量分解 | 第35-38页 |
| ·分子生成密度差(MFDD)分析 | 第38-42页 |
| ·分子生成密度差二维图分析 | 第38-40页 |
| ·电子密度积分值分析 | 第40-42页 |
| ·结论 | 第42-43页 |
| 5 第三主族通过 π-hole形成的配位键的理论研究 | 第43-56页 |
| ·计算方法 | 第44页 |
| ·XH_3···YH_3(X=B, Al, Ga, In;Y=N, P, As, Sb)复合物中的X···Y键 | 第44-46页 |
| ·XH_3···YH_3(X=B, Al, Ga, In;Y=N, P, As, Sb)复合物的构型和能量分析 | 第46-48页 |
| ·构型分析 | 第46-47页 |
| ·相互作用能分析 | 第47-48页 |
| ·X···Y键的ELF分析 | 第48-49页 |
| ·复合物能量分解(EDA)分析 | 第49-52页 |
| ·EDA分析 | 第49-50页 |
| ·Wiberg键级与交换能(Eex)的关系 | 第50-52页 |
| ·分子生成密度差(MFDD)分析 | 第52-54页 |
| ·结论 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-67页 |
| 攻读学位期间取得的科研成果 | 第67-68页 |
| 后记（含致谢） | 第68页 |
