| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-47页 |
| ·信息存储技术的重要性、研究现状及未来发展方向 | 第12-14页 |
| ·电存储器件 | 第14-17页 |
| ·电存储器件的结构、工作原理和基本性能参数 | 第14-16页 |
| ·电存储器件的存储类型 | 第16-17页 |
| ·电存储的机理 | 第17页 |
| ·电存储材料的种类 | 第17-28页 |
| ·广泛研究的电存储材料 | 第18页 |
| ·非传统的电存储材料 | 第18-28页 |
| ·有机半导体材料及器件性能的优化策略 | 第28-36页 |
| ·器件界面调控 | 第29-35页 |
| ·器件制备工艺 | 第35-36页 |
| ·分子结构的调控 | 第36-44页 |
| ·平面性 | 第37-39页 |
| ·电子(端基)效应 | 第39-41页 |
| ·同分异构效应 | 第41-43页 |
| ·原子效应 | 第43-44页 |
| ·本论文的研究意义及研究内容 | 第44-47页 |
| ·论文的选题目的及意义 | 第44-45页 |
| ·论文的主要研究内容 | 第45-47页 |
| 第二章 基于同分异构体效应的喹喔啉类有机分子电存储材料性能的研究 | 第47-59页 |
| ·引言 | 第47-48页 |
| ·实验部分 | 第48-52页 |
| ·原料与试剂 | 第48-49页 |
| ·QU-1 和QU-2 的合成 | 第49-51页 |
| ·器件制备 | 第51页 |
| ·测试方法 | 第51-52页 |
| ·结果和讨论 | 第52-57页 |
| ·光电性能 | 第52-54页 |
| ·薄膜形貌和分子堆积 | 第54-55页 |
| ·电存储性能 | 第55-56页 |
| ·理论计算 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 第三章 基于端基效应的喹喔啉类有机分子电存储材料的性能研究 | 第59-69页 |
| ·引言 | 第59-60页 |
| ·实验部分 | 第60-63页 |
| ·原料与试剂 | 第60-61页 |
| ·Qu-Ph和Qu-Oct分子的合成 | 第61-63页 |
| ·电存储器件的制备 | 第63页 |
| ·测试方法 | 第63页 |
| ·结果与讨论 | 第63-68页 |
| ·光电性能 | 第63-65页 |
| ·薄膜表面形貌和内部堆积 | 第65-66页 |
| ·器件的电流-电压曲线 | 第66-67页 |
| ·理论计算 | 第67-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 第四章 基于共轭桥键效应的喹喔啉类有机分子电存储材料的性能研究 | 第69-78页 |
| ·引言 | 第69-70页 |
| ·实验部分 | 第70-72页 |
| ·原料及试剂 | 第70页 |
| ·化合物的合成步骤 | 第70-72页 |
| ·电存储器件制备 | 第72页 |
| ·测试方法 | 第72页 |
| ·结果与讨论 | 第72-77页 |
| ·光学和电化学性能 | 第72-74页 |
| ·电流?电压(I-V)曲线 | 第74-75页 |
| ·薄膜形貌及内部堆积 | 第75-76页 |
| ·存储机制 | 第76-77页 |
| ·本章小结 | 第77-78页 |
| 第五章 基于共轭支链数目的有机分子电存储材料的性能研究 | 第78-90页 |
| ·引言 | 第78-79页 |
| ·实验部分 | 第79-82页 |
| ·原料与试剂 | 第79页 |
| ·分子的合成 | 第79-82页 |
| ·电存储器件的制备 | 第82页 |
| ·测试和表征 | 第82页 |
| ·结果与讨论 | 第82-89页 |
| ·器件的电存储性能 | 第82-84页 |
| ·电化学性质 | 第84-85页 |
| ·理论解释 | 第85页 |
| ·薄膜表面形貌和热稳定性 | 第85-89页 |
| ·本章小结 | 第89-90页 |
| 第六章 全文总结 | 第90-92页 |
| ·全文总结 | 第90-91页 |
| ·存在的问题和展望 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-116页 |
| 攻读博士学位期间公开发表的论文 | 第116-117页 |
| 致谢 | 第117-118页 |
