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半导体量子理论论文
非对称耦合双量子阱GaAs/Al
x
Ga
1-x
As中的激子态
摘要
第1-5页
ABSTRACT
第5-8页
第一章 绪论
第8-11页
·国内外研究概况
第8-10页
·论文内容安排
第10-11页
第二章 理论模型和计算方法
第11-16页
·理论模型
第11-14页
·物理参数的压力影响
第14-16页
第三章 数值计算结果与讨论
第16-22页
·量子阱中激子结合能
第16-20页
·量子阱中电子空穴平均位置
第20-21页
·结论
第21-22页
参考文献
第22-26页
致谢
第26-27页
攻读硕士学位期间完成的论文
第27页
论文共
27
页,
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基于改进EMD的薄板粘接缺陷特征提取方法研究
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CuGaS
2
和CuGa
1-x
Ti
x
S
2
薄膜的制备及其特性