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催化剂衬底对石墨烯CVD生长形状及取向的影响

摘要第1-8页
ABSTRACT第8-11页
第一章 绪论第11-21页
   ·石墨烯简介第11-13页
   ·石墨烯的制备方法第13-14页
   ·CVD法中的催化剂衬底第14-15页
   ·石墨烯CVD生长的机制研究现状第15-18页
   ·本论文的研究意义第18-21页
第二章 理论基础与研究方法第21-31页
   ·引言第21页
   ·单电子近似理论第21-24页
     ·绝热近似第21-23页
     ·Hartree-Fock近似第23-24页
   ·密度泛函理论第24-26页
     ·Kohn-Sham方程第24-25页
     ·LDA和GGA近似第25-26页
   ·平面波赝势法第26-29页
   ·过渡态理论第29-31页
第三章 Ge(110)衬底上石墨烯的取向一致性的研究第31-45页
   ·引言第31-32页
   ·模型建立及计算方法第32页
   ·范德瓦耳斯力对石墨烯取向的影响第32-34页
   ·石墨烯的边界成键研究第34-37页
   ·石墨烯在不同台阶处的化学键计算第37-41页
   ·实验佐证第41-43页
   ·小结第43-45页
第四章 Ni(111)衬底上石墨烯生长形状的研究第45-61页
   ·引言第45-47页
   ·理论模型及计算方法第47-48页
   ·边界和衬底之间相互作用第48-51页
   ·石墨烯边界生长的动力学分析第51-60页
     ·平台面上边界的生长动力学第51-55页
     ·嵌入生长模式下边界的生长动力学第55-57页
     ·石墨烯生长过程的动力学Wulff Construction分析第57-60页
   ·小结第60-61页
第五章 总结与展望第61-63页
   ·主要工作第61-62页
   ·工作展望第62-63页
参考文献第63-71页
科研成果第71-73页
致谢第73页

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