| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| ·量子信息存储研究背景 | 第9-11页 |
| ·冷原子 | 第10页 |
| ·量子信息存储 | 第10-11页 |
| ·冷原子量子信息存储的研究现状及应用前景 | 第11-12页 |
| ·本文的研究内容 | 第12-14页 |
| 第二章 激光冷却与陷俘相关理论 | 第14-22页 |
| ·原子的激光冷却 | 第14-15页 |
| ·磁光阱的基本原理 | 第15-22页 |
| ·多普勒冷却原理 | 第15-17页 |
| ·多普勒冷却极限和亚多普勒 | 第17-18页 |
| ·磁光阱 | 第18-22页 |
| 第三章 量子存储实验系统 | 第22-37页 |
| ·激光系统 | 第22-30页 |
| ·饱和吸收光谱 | 第23-24页 |
| ·主激光、从激光 | 第24-25页 |
| ·冷却光、回泵光和探测光 | 第25-29页 |
| ·AOM移频 | 第29-30页 |
| ·实验磁场系统 | 第30-31页 |
| ·实验真空系统 | 第31页 |
| ·探测系统 | 第31-34页 |
| ·吸收成像法测原子数 | 第32-33页 |
| ·荧光法测原子数 | 第33-34页 |
| ·时序系统与数据处理 | 第34-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 MOT俘获原子数与实验参数的关系 | 第37-52页 |
| ·成像CCD放大率标定 | 第37-38页 |
| ·冷原子数不同测量方法标定 | 第38-43页 |
| ·吸收成像法与光电池电压值标定 | 第38-40页 |
| ·荧光成像法与光电池电压值标定 | 第40-43页 |
| ·俘获原子数与实验参数的关系 | 第43-49页 |
| ·冷却光失谐和磁场梯度与原子数关系 | 第43-44页 |
| ·冷却光优化 | 第44-46页 |
| ·冷却光功率和回泵光功率与原子数关系 | 第46-48页 |
| ·飞行时间与原子数的关系 | 第48页 |
| ·LED与原子数的关系 | 第48-49页 |
| ·磁光阱中原子寿命 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第五章 冷原子EIT与Autler-townes分裂初步实验 | 第52-59页 |
| ·电磁感应透明与Autler-townes分裂 | 第52-54页 |
| ·M-Z干涉仪 | 第54-55页 |
| ·实验光路及时序 | 第55-56页 |
| ·实验结果 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 总结与展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 致谢 | 第66页 |