| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-18页 |
| ·快响应红外光电阴极研究背景概述 | 第11-13页 |
| ·快响应红外光电阴极国内外发展现状 | 第13-16页 |
| ·国外红外光电阴极发展现状 | 第13-15页 |
| ·国内红外光电阴极的发展现状 | 第15-16页 |
| ·本文选题研究的意义 | 第16页 |
| ·本文的研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 InP/InGaAs/InP 红外光电阴极理论基础 | 第18-32页 |
| ·光电发射机理 | 第18-20页 |
| ·光电子激发过程 | 第18-19页 |
| ·导带光电子向阴极表面输运过程 | 第19-20页 |
| ·光电子跃迁表面势垒向真空发射电子过程 | 第20页 |
| ·理论模拟计算基础 | 第20-25页 |
| ·基本理论基础 | 第20页 |
| ·基本的方程 | 第20-22页 |
| ·边界条件 | 第22-25页 |
| ·快响应 InP/InGaAs/InP 红外光电阴极的基本特性 | 第25-32页 |
| ·阴极结构参数 | 第25-29页 |
| ·InP/InGaAs/InP 红外光电阴极的特性 | 第29-32页 |
| 第三章 快响应 InP/InGaAs/InP 红外光电阴极的特性研究 | 第32-48页 |
| ·红外光电阴极的物理模型 | 第32-33页 |
| ·红外光电阴极能带结构模拟 | 第33-35页 |
| ·红外光电阴极时间响应特性模拟研究 | 第35-39页 |
| ·吸收层厚度对阴极响应时间的影响 | 第35-36页 |
| ·吸收层掺杂浓度对响应时间的影响 | 第36-37页 |
| ·发射层参数对响应时间的影响 | 第37-38页 |
| ·小结 | 第38-39页 |
| ·红外光电阴极量子效率模拟研究 | 第39-46页 |
| ·影响阴极量子效率的因素 | 第39-40页 |
| ·量子效率的计算 | 第40-45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| ·兼顾量子效率阴极响应时间计算 | 第46-48页 |
| 第四章 In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP 红外阴极增透膜设计 | 第48-56页 |
| ·增透膜光学特性 | 第48-49页 |
| ·红外阴极增透膜设计 | 第49-55页 |
| ·无增透膜时红外阴极的光学特性 | 第50-51页 |
| ·阴极吸收特性与增透膜参数的关系 | 第51-53页 |
| ·加 Si_3N_4增透膜时阴极的光学特性 | 第53-54页 |
| ·有增透膜时内量子效率的模拟计算 | 第54-55页 |
| ·小结 | 第55-56页 |
| 第五章 总结与展望 | 第56-58页 |
| ·全文总结 | 第56-57页 |
| ·后续工作设想 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第63页 |
