| 致谢 | 第1-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| Abstract | 第9-13页 |
| 插图清 单 | 第13-15页 |
| 表格清单 | 第15-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-33页 |
| ·有机薄膜晶体管(TFT)的概述 | 第16-23页 |
| ·有机薄膜晶体管的结构 | 第17页 |
| ·有机薄膜晶体管的工作原理 | 第17-19页 |
| ·有机薄膜晶体的溶液成膜技术 | 第19-20页 |
| ·有机薄膜晶体管的应用 | 第20-23页 |
| ·有机场效应半导体材料发展概况 | 第23-24页 |
| ·表征场效应半导体材料性能的主要参数 | 第24页 |
| ·有机半导体的分类 | 第24-31页 |
| ·小分子半导体材料 | 第25-29页 |
| ·聚合物半导体材料 | 第29-30页 |
| ·双极性半导体材料 | 第30-31页 |
| ·含有噻吩单元的半导体材料 | 第31-32页 |
| ·含有噻吩基元的小分子半导体材料 | 第31页 |
| ·以聚噻吩为嵌段的嵌段聚合物 | 第31-32页 |
| ·本论文研究内容 | 第32-33页 |
| 第二章 2,7-二癸基-二苯并二噻吩的制备及性能研究 | 第33-42页 |
| ·引言 | 第33-34页 |
| ·实验 | 第34-36页 |
| ·主要试剂 | 第34页 |
| ·测试仪器 | 第34页 |
| ·实验步骤 | 第34-36页 |
| ·C_(10)‐BTBT 有机薄膜晶体管器件的制备过程 | 第36页 |
| ·底栅顶接触 C_(10)‐BTBT 器件环境稳定性的测定 | 第36页 |
| ·化合物的表征及性能研究 | 第36-41页 |
| ·化合物的表征 | 第36-37页 |
| ·光学性能 | 第37-39页 |
| ·热学性能 | 第39页 |
| ·电学性能 | 第39-40页 |
| ·基于 C_(10)‐BTBT 器件环境稳定性 | 第40-41页 |
| ·器件导电沟道表面形貌 | 第41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 聚 3-己基噻吩三嵌段聚合物的制备及性能研究 | 第42-57页 |
| ·引言 | 第42-43页 |
| ·主要合成试剂及测试仪器 | 第43-45页 |
| ·实验药品 | 第43-44页 |
| ·实验仪器 | 第44-45页 |
| ·测试仪器 | 第45页 |
| ·实验过程 | 第45-48页 |
| ·聚丙烯酸甲酯的自由基活性聚合制备 Br-PMA-Br | 第46-47页 |
| ·N_3-PMA-N_3的制备 | 第47页 |
| ·炔基封端的聚 3-己基噻吩（P3HT）的制备 | 第47页 |
| ·P3HT-PMA-P3HT 三嵌段聚合的制备 | 第47-48页 |
| ·三嵌段聚合物的表征与性能研究 | 第48-52页 |
| ·聚合物的核磁共振氢谱表征 | 第48-49页 |
| ·相对分子质量的表征 | 第49-51页 |
| ·红外表征 | 第51-52页 |
| ·嵌段聚合物的性能研究 | 第52-56页 |
| ·光学性能 | 第52-53页 |
| ·热学性能 | 第53-55页 |
| ·力学性能 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第四章 聚 3-己基噻吩三嵌段聚合物的电学性能的研究 | 第57-66页 |
| ·引言 | 第57-58页 |
| ·实验所需材料与仪器 | 第58页 |
| ·实验过程 | 第58-59页 |
| ·滴注法制备 OTFT 器件以及性能测试 | 第58页 |
| ·可拉伸 OTFT 器件的制备 | 第58-59页 |
| ·结果与讨论 | 第59-65页 |
| ·不同 P3HT 的嵌段比例对电学性能的影响 | 第59-61页 |
| ·不同拉伸比例的薄膜晶体管的电学性能 | 第61-63页 |
| ·三嵌段聚合物 P3HT-PMA-P3HT 的表面形貌图 | 第63-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 结论与展望 | 第66-68页 |
| ·结论 | 第66-67页 |
| ·展望 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-75页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第75-76页 |
