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IGBT高压串联阀组件开通暂态电流过冲产生机理及其抑制方法研究

摘要第1-7页
ABSTRACT第7-12页
第一章 绪论第12-24页
   ·论文研究背景第12-18页
     ·VSC-HVDC基本工作原理第13-15页
     ·VSC主电路拓扑结构第15-17页
     ·不同拓扑结构VSC比较第17-18页
   ·论文研究的意义第18-20页
   ·国内外研究现状第20-22页
   ·论文主要工作第22-24页
第二章 IGBT特性及开关过程分析第24-36页
   ·IGBT的基本结构第24-26页
   ·IGBT的工作原理第26-27页
   ·IGBT的擎住效应与安全工作区第27-29页
     ·IGBT的擎住效应第27-28页
     ·IGBT安全工作区第28-29页
   ·IGBT开关特性第29-34页
     ·开通过程第29-34页
     ·关断过程第34页
   ·本章小结第34-36页
第三章 高压串联阀组件开通暂态电流过冲产生机理第36-44页
   ·换流器中杂散参数第36-38页
     ·杂散电感第36-37页
     ·杂散电容第37-38页
   ·IGBT串联用吸收回路第38-40页
     ·RC吸收回路第38-39页
     ·RCD吸收回路第39-40页
     ·性能对比第40页
   ·续流二极管第40-42页
     ·基本结构第40-41页
     ·工作原理第41-42页
   ·IGBT串联阀组件开通电流过冲及其危害第42-43页
   ·本章小结第43-44页
第四章 杂散参数对高压串联阀组件开通电流过冲的影响及其抑制措施第44-66页
   ·杂散参数对串联阀组件开通暂态电流过冲的影响第44-55页
     ·概述第44-45页
     ·理论分析第45-48页
     ·仿真分析第48-55页
   ·抑制杂散参数影响的措施第55-63页
     ·阻波器原理分析及方案设计第56-58页
     ·仿真分析第58-60页
     ·实验验证第60-63页
   ·本章小结第63-66页
第五章 吸收回路对高压串联阀组件开通电流过冲的影响及其优化措施第66-84页
   ·吸收回路对串联阀组件开通电流过冲的影响第66-74页
     ·理论分析第66-68页
     ·仿真分析第68-74页
   ·吸收回路优化措施第74-82页
     ·有源电压控制的基本原理第75-77页
     ·改进的有源电压控制第77-80页
     ·有源电压控制对吸收回路参数设计的影响第80-81页
     ·仿真分析第81-82页
   ·本章小结第82-84页
第六章 二极管反向恢复对高压串联阀组件开通电流过冲的影响及其抑制措施第84-98页
   ·二极管反向恢复过程第84-85页
   ·二极管对串联阀组件电流过冲的影响及其仿真验证第85-90页
     ·二极管对串联阀组件电流过冲的影响第85-87页
     ·仿真分析第87-90页
   ·抑制二极管反向恢复影响的措施第90-95页
     ·基本原理第91-94页
     ·仿真分析第94-95页
   ·本章小结第95-98页
第七章 不同运行环境下电流过冲抑制措施研究第98-108页
   ·运行环境对串联阀组件电流过冲的影响第98-102页
     ·直流侧电压对串联阀组件电流过冲的影响第98-100页
     ·负载电流对串联阀组件电流过冲的影响第100-102页
   ·不同运行环境下的抑制措施第102-107页
     ·低压小电流第102-104页
     ·高压大电流第104-107页
   ·本章小结第107-108页
第八章 总结与展望第108-112页
   ·总结第108-109页
   ·需进一步开展的工作第109-112页
参考文献第112-116页
致谢第116-117页
攻读硕士期间发表的论文第117-118页
攻读硕士期间申请的专利第118页

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