摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-7页 |
目录 | 第7-9页 |
第一章 前言 | 第9-25页 |
·引言 | 第9页 |
·电致发光器件的结构、原理和材料 | 第9-12页 |
·有机共轭小分子 | 第12-13页 |
·有机硼化合物 | 第13-23页 |
·三配位硼化合物 | 第13-16页 |
·四配位硼化合物 | 第16-23页 |
·研究思路与内容 | 第23-25页 |
·论文思路 | 第23-24页 |
·研究内容 | 第24-25页 |
第二章 理论方法基础 | 第25-41页 |
·密度泛函理论 | 第25-33页 |
·Hohenberg-Kohn 定理 | 第25-26页 |
·Kohn-Sham (KS)定理 | 第26-27页 |
·交换相关泛函 | 第27-33页 |
·概念密度泛函 | 第33-36页 |
·电子化学势和电负性是连接计算 DFT 和概念 DFT 的桥梁 | 第33页 |
·软度和硬度 | 第33-34页 |
·福井谦一函数 | 第34-35页 |
·双重算子 | 第35页 |
·局域软度 | 第35页 |
·亲电指数 | 第35-36页 |
·光物理过程 | 第36-41页 |
·辐射衰减过程 | 第37-38页 |
·非辐射衰减过程 | 第38页 |
·荧光发射效率 | 第38-41页 |
第三章 理论研究 BisBODIPY 染料的光物理性质:单体结构调控效应 | 第41-52页 |
·引言 | 第41-42页 |
·计算方法和细节 | 第42-45页 |
·结果与讨论 | 第45-50页 |
·基态几何结构 | 第45页 |
·吸收光谱 | 第45-50页 |
·重组能 | 第50-51页 |
·本章小结 | 第51-52页 |
第四章 理论研究苯胺吡啶二氟化硼的光物理性质及其斯托克斯位移大的根源 | 第52-65页 |
·引言 | 第52-53页 |
·理论计算方法 | 第53-55页 |
·理论背景 | 第53-54页 |
·计算细节 | 第54-55页 |
·结果与讨论 | 第55-64页 |
·基态几何结构 | 第55-57页 |
·基态前线分子轨道 | 第57-58页 |
·光谱性质和跃迁密度矩阵 | 第58-61页 |
·斯托克斯位移大的根源 | 第61-64页 |
·发光效率 | 第64页 |
·本章小结 | 第64-65页 |
第五章 三苯基硼化物的光物理性质以及化学反应活性的密度泛函研究:强制平面化效应 | 第65-77页 |
·引言 | 第65-66页 |
·计算细节 | 第66-67页 |
·结果与讨论 | 第67-75页 |
·几何结构和电子结构 | 第67-68页 |
·吸收光谱以及传输性质 | 第68-69页 |
·反应活性 | 第69-71页 |
·电子密度的拉普拉斯值以及静电势 | 第71-75页 |
·本章小结 | 第75-77页 |
参考文献 | 第77-92页 |
致谢 | 第92-93页 |
在学期间公开发表论文及著作情况 | 第93-94页 |