| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·金刚石的性能与应用 | 第11-14页 |
| ·金刚石的结构与性质 | 第11-12页 |
| ·金刚石的应用 | 第12-14页 |
| ·纳米金刚石薄膜概述 | 第14-16页 |
| ·纳米金刚石薄膜及其应用 | 第14-15页 |
| ·纳米金刚石薄膜的制备 | 第15-16页 |
| ·金刚石的掺杂 | 第16-19页 |
| ·金刚石薄膜的n型与p型掺杂 | 第16-17页 |
| ·金刚石薄膜的掺杂技术 | 第17页 |
| ·纳米金刚石薄膜的硼掺杂 | 第17-19页 |
| ·问题的提出 | 第19-21页 |
| ·本文研究内容 | 第21-23页 |
| 第二章 不同退火温度对低浓度硼掺杂纳米金刚石薄膜微结构和电学性能的影响 | 第23-39页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·实验 | 第23-26页 |
| ·CVD金刚石的实验制备装置和衬底预处理过程 | 第23-24页 |
| ·硼掺杂浓度为500ppm的纳米金刚石薄膜的制备 | 第24-25页 |
| ·退火方案及表征手段 | 第25-26页 |
| ·退火温度对低硼掺杂纳米金刚石薄膜微结构和电学性能的影响 | 第26-38页 |
| ·场发射电子扫描显微镜(FESEM)测试 | 第26页 |
| ·高分辨透射电子显微镜(HRTEM)测试 | 第26-28页 |
| ·掠入射X射线衍射测试 | 第28-29页 |
| ·Hall效应测试 | 第29-30页 |
| ·变温两探针法电阻测试 | 第30-31页 |
| ·可见光拉曼(Raman)光谱测试 | 第31-36页 |
| ·紫外拉曼(Raman)光谱测试 | 第36-37页 |
| ·二次离子质谱(SIMS)测试 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 不同退火温度对高浓度硼掺杂纳米金刚石薄膜微结构和p型导电性能的影响 | 第39-50页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·实验 | 第39-40页 |
| ·退火温度对高硼掺杂纳米金刚石薄膜微结构和电学性能的影响 | 第40-49页 |
| ·场发射电子扫描电镜(FESEM)及扫描透射电镜(STEM)测试 | 第40-41页 |
| ·Hall效应测试 | 第41-42页 |
| ·变温两探针法电阻测试 | 第42-43页 |
| ·高分辨透射电镜(HRTEM)测试 | 第43-44页 |
| ·紫外Raman光谱测试 | 第44-45页 |
| ·可见光Raman光谱测试 | 第45-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 硼离子注入纳米金刚石薄膜的微结构和电学性能研究 | 第50-64页 |
| ·引言 | 第50页 |
| ·实验 | 第50-51页 |
| ·退火温度对硼离子注入NCD薄膜微结构的影响 | 第51-57页 |
| ·场发射电子扫描电镜(FESEM)测试 | 第51-52页 |
| ·高分辨透射电镜(HRTEM)测试 | 第52-55页 |
| ·可见光Raman光谱测试 | 第55-57页 |
| ·退火温度对硼离子注入NCD薄膜电学性能的影响 | 第57-63页 |
| ·Hall效应测试 | 第57-58页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS)测试 | 第58-61页 |
| ·变温两探针法电阻测试 | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 结论 | 第64-66页 |
| 本文创新点 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及成果 | 第80页 |
