基于MEMS的可变光衰减器的设计与制作
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-25页 |
| ·微机电系统MEMS | 第8-14页 |
| ·微机电系统MEMS简介 | 第8页 |
| ·MEMS的发展与市场情况 | 第8-9页 |
| ·MEMS的国外发展状况 | 第9-10页 |
| ·MEMS国内发展状况 | 第10-11页 |
| ·MEMS制造技术 | 第11-12页 |
| ·MEMS封装技术 | 第12-13页 |
| ·光学MEMS的热点与市场分析 | 第13-14页 |
| ·MEMS技术在光通信领域的应用前景 | 第14页 |
| ·光衰减器 | 第14-16页 |
| ·光衰减器的发展 | 第14-15页 |
| ·VOA的模块化应用 | 第15-16页 |
| ·现有技术和衰减器分类 | 第16-24页 |
| ·挡光型 | 第17-18页 |
| ·横向位移型 | 第18-19页 |
| ·径向位移型 | 第19页 |
| ·光衰减片型 | 第19-20页 |
| ·热光型 | 第20-22页 |
| ·磁光型 | 第22页 |
| ·M-Z干涉波导型 | 第22-23页 |
| ·MEMS型 | 第23-24页 |
| ·课题研究目的、意义和来源 | 第24-25页 |
| 第2章 设计方案 | 第25-38页 |
| ·工作原理 | 第25-26页 |
| ·MEMS芯片 | 第26-27页 |
| ·聚焦准直透镜与准直器 | 第27-29页 |
| ·C-lens准直特性 | 第29-31页 |
| ·VOA光路系统传输矩阵分析 | 第31-36页 |
| ·xoz平面传输矩阵 | 第32-34页 |
| ·yoz平面传输矩阵 | 第34-36页 |
| ·结构设计 | 第36-38页 |
| 第3章 平台设计与制作工艺 | 第38-44页 |
| ·材料与制作平台搭建 | 第38-39页 |
| ·制作工艺 | 第39-44页 |
| ·工艺流程 | 第39页 |
| ·底座与MEMS芯片粘接 | 第39-40页 |
| ·MEMS芯片电极键合 | 第40页 |
| ·套管与C-lens粘合 | 第40-41页 |
| ·半成品封装 | 第41-42页 |
| ·调试与同轴封装 | 第42-43页 |
| ·外封管封装 | 第43页 |
| ·粘合器件的清洗 | 第43-44页 |
| 第4章 性能参数与调试测试 | 第44-52页 |
| ·衰减量Att | 第44-45页 |
| ·插入损耗IL | 第45页 |
| ·波长相关损耗WDL | 第45-46页 |
| ·偏振相关损耗PDL | 第46页 |
| ·回波损耗RL | 第46-47页 |
| ·温度相关损耗TDL | 第47页 |
| ·其他环节及衰减测试结果 | 第47-49页 |
| ·高温高热耐久性试验要求 | 第49-51页 |
| ·可靠性试验要求 | 第51-52页 |
| 第5章 总结与展望 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 附录 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
