| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-22页 |
| ·荧光纳米材料的概述 | 第13-14页 |
| ·荧光的产生 | 第13页 |
| ·荧光纳米材料的简介 | 第13-14页 |
| ·荧光纳米材料的应用 | 第14页 |
| ·半导体量子点概述 | 第14-18页 |
| ·半导体量子点基本性质 | 第14-15页 |
| ·半导体量子点的制备 | 第15-17页 |
| ·半导体量子点的应用 | 第17-18页 |
| ·石墨烯量子点的概述 | 第18-21页 |
| ·墨烯量子点的基本性质 | 第18页 |
| ·石墨烯量子点的合成方法 | 第18-20页 |
| ·墨烯量子点的应用 | 第20-21页 |
| ·本论文研究内容 | 第21-22页 |
| 第二章 超声电化学一步法合成水溶性CdTe量子点 | 第22-33页 |
| ·前言 | 第22-23页 |
| ·实验部分 | 第23-25页 |
| ·材料与仪器 | 第23页 |
| ·合成CdTe量子点 | 第23-24页 |
| ·荧光量子产率的测定 | 第24-25页 |
| ·结果与讨论 | 第25-32页 |
| ·CdTe量子点的表征 | 第25-26页 |
| ·CdTe量子点合成机理 | 第26-27页 |
| ·反应温度的影响 | 第27-29页 |
| ·超声电化学参数的影响 | 第29-31页 |
| ·pH值的影响 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 超声电化学快速制备近红外CdTe量子点与细胞成像 | 第33-43页 |
| ·前言 | 第33页 |
| ·实验部分 | 第33-35页 |
| ·试剂与仪器 | 第33-34页 |
| ·合成CdTe量子点 | 第34页 |
| ·细胞成像 | 第34-35页 |
| ·荧光量子产率的测定 | 第35页 |
| ·结果与讨论 | 第35-42页 |
| ·CdTe量子点的表征 | 第35-37页 |
| ·反应时间的影响 | 第37-38页 |
| ·超声电化学反应温度的影响 | 第38-39页 |
| ·pH值的影响 | 第39-40页 |
| ·电流脉冲宽度的影响 | 第40页 |
| ·回流时间 | 第40-41页 |
| ·细胞成像 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 石墨烯量子点-六方氮化硼纳米复合物的制备及其细胞成像应用 | 第43-52页 |
| ·前言 | 第43-44页 |
| ·实验部分 | 第44-46页 |
| ·实验试剂与仪器 | 第44-45页 |
| ·合成石墨烯量子点 | 第45页 |
| ·HBN纳米片的制备 | 第45页 |
| ·合成HBN-GQDs纳米复合物 | 第45页 |
| ·MTT分析 | 第45页 |
| ·细胞成像 | 第45-46页 |
| ·结果与讨论 | 第46-51页 |
| ·HBN-GQDs纳米复合物的合成和表征 | 第46-49页 |
| ·细胞毒性和细胞成像 | 第49-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 作者简介及读研期间主要科研成果 | 第60页 |