摘要 | 第1-7页 |
ABSTRACT | 第7-11页 |
目录 | 第11-14页 |
第一章 绪论 | 第14-27页 |
·引言 | 第14页 |
·薄膜ZnO当前的应用及前景 | 第14-16页 |
·ZnO的基本性质 | 第16-22页 |
·ZnO的基本性能参数 | 第16-17页 |
·ZnO的电子结构及本征缺陷 | 第17-18页 |
·ZnO薄膜的掺杂 | 第18-19页 |
·ZnO的能带与深能级发光 | 第19-20页 |
·ZnO的自由激子 | 第20-22页 |
·ZnO薄膜的生长 | 第22-25页 |
·衬底/基片的选择 | 第22-23页 |
·薄膜生长技术 | 第23-25页 |
·选题意义和研究内容 | 第25-27页 |
第二章 镀膜方案设计与表征方法 | 第27-45页 |
·Sol-gel旋涂法制备ZnO薄膜 | 第27-32页 |
·Sol-gel法简介 | 第27-29页 |
·本实验制备ZnO胶体方案与过程 | 第29-30页 |
·实验中硅片Si的清洗 | 第30-31页 |
·薄膜旋涂与热处理 | 第31页 |
·本实验Sol-gel旋涂制备ZnO薄膜的全部流程 | 第31-32页 |
·Sputtering制备ZnO薄膜和AZO薄膜 | 第32-35页 |
·Sputtering简介 | 第32-33页 |
·Sputtering制备ZnO薄膜和AZO薄膜实验过程 | 第33-35页 |
·样品表征测试手段 | 第35-45页 |
·表面形貌与微结构表征——XRD、场发射FE-SEM及正电子湮没测试 | 第35-41页 |
·光学性能表征——PL光谱和透过率测试 | 第41页 |
·电学性能与PN结特性表征——电阻率、Hall迁移率与Ⅰ-Ⅴ曲线测试 | 第41-45页 |
第三章 不同制备方案的ZnO薄膜性能分析 | 第45-59页 |
·引言 | 第45页 |
·不同膜层数对ZnO薄膜的性能影响 | 第45-55页 |
·不同膜层数TK系列ZnO薄膜的微观结构分析 | 第45-50页 |
·不同膜层数TK系列ZnO薄膜的正电子寿命谱和Doppler谱的分析 | 第50-52页 |
·不同膜层数TK系列ZnO薄膜的电学性能分析 | 第52-54页 |
·不同膜层数TK系列ZnO薄膜室温条件下PL光致发光谱分析 | 第54-55页 |
·不同基片温度对ZnO薄膜性能的影响 | 第55-58页 |
·不同基片温度TG系列ZnO薄膜微结构分析 | 第55-56页 |
·不同基片温度TG系列ZnO薄膜光学特性 | 第56-58页 |
·小结 | 第58-59页 |
第四章 不同溅射工艺ZnO:Al透明导电膜(AZO)性能分析 | 第59-69页 |
·引言 | 第59-60页 |
·不同Al~(3+)含量AAZ系列AZO薄膜光学性能分析 | 第60-61页 |
·溅射功率P对AZO薄膜性能的影响 | 第61-64页 |
·不同溅射功率AZP系列AZO薄膜微观结构分析 | 第61-62页 |
·不同溅射功率AZP系列AZO薄膜电学性能分析 | 第62-63页 |
·不同溅射功率AZP系列AZO薄膜光学性能分析 | 第63-64页 |
·不同基片温度AZT对AZO薄膜性能的影响 | 第64-68页 |
·不同基片温度AZT系列ZnO薄膜微结构分析 | 第64-65页 |
·不同基片温度AZT系列ZnO薄膜电学性能分析 | 第65-67页 |
·不同基片温度AZT系列ZnO薄膜光学性能分析 | 第67-68页 |
·小结 | 第68-69页 |
第五章 p-Si/n-ZnO的异质结太阳电池光电特性及AZO透明导电薄膜在Si薄膜太阳能电池中的应用 | 第69-76页 |
·引言 | 第69页 |
·Al/p-Si-n-ZnO/Ag异质结光电器件的制备和性能分析 | 第69-74页 |
·Al/p-Si-n-ZnO/Ag异质结光电器件的制备 | 第69-70页 |
·Sputtering制备Si-ZnO薄膜的微观结构分析 | 第70-71页 |
·Sputtering制备p-Si/n-ZnO薄膜PL光致发光谱分析 | 第71-72页 |
·Al/p-Si/n-ZnO/Ag光电器件的Ⅰ-Ⅴ曲线分析 | 第72-74页 |
·Ag/AZO/n-Si-p-Si/Ag太阳能电池片Ⅰ-Ⅴ曲线分析 | 第74-75页 |
·小结 | 第75-76页 |
第六章 总结与展望 | 第76-79页 |
·全文总结 | 第76-77页 |
·本文创新点及实验中典型问题解决 | 第77-78页 |
·展望 | 第78-79页 |
参考文献 | 第79-87页 |
致谢 | 第87-88页 |
攻读硕士学位期间发表的学位论文目录 | 第88页 |