InGaN太阳能电池外延片的生长

摘要	第1-4页
Abstract	第4-7页
第一章 绪论	第7-11页
·引言	第7-8页
·太阳能	第8-9页
·太阳能电池	第9-10页
·半导体材料与太阳能电池	第9-10页
·InGaN 太阳能电池	第10页
·小结	第10-11页
第二章 氮化镓材料的性质与生长	第11-21页
·GaN 晶体的基本性质	第11-13页
·GaN 晶体的结构	第11-12页
·氮化镓的光学性质	第12页
·氮化镓的化学性质	第12页
·氮化镓的电学性质	第12-13页
·氮化镓的生长	第13-20页
·衬底的选择	第13-15页
·氮化镓的几种生长方法	第15-18页
·氮化镓的 MOCVD 生长	第18-20页
·P 型氮化镓的生长	第20页
·小结	第20-21页
第三章 GaN 及其三元合金的常用测试方法	第21-30页
·高分辨率 X 射线衍射(XRD)	第21-24页
·光致发光（PL）谱	第24-26页
·原子力显微镜（AFM）	第26-28页
·扫描电镜（SEM）	第28页
·小结	第28-30页
第四章 InGaN 太阳能电池有源层的生长	第30-50页
·InGaN 三元合金的基础理论	第32-36页
·氮化铟的争论	第32-33页
·铟镓氮材料的特性	第33-36页
·铟镓氮合金的生长	第36-49页
·直接生长与脉冲法生长的比较	第36-39页
·生长温度对铟镓氮合金的影响	第39-40页
·生长压力对铟镓氮合金的影响	第40-43页
·结果与总结	第43页
·铟镓比对铟镓氮合金中铟组分的影响	第43-48页
·结果与分析	第48-49页
·小结	第49-50页
第五章 总结与展望	第50-52页
致谢	第52-54页
参考文献	第54-57页