| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-23页 |
| ·引言 | 第12页 |
| ·金刚石的结构 | 第12-13页 |
| ·金刚石的性质 | 第13-16页 |
| ·金刚石的力学性质 | 第13-14页 |
| ·金刚石的热学性质 | 第14页 |
| ·金刚石的光学性质 | 第14页 |
| ·金刚石的电学性质 | 第14-15页 |
| ·金刚石的声学性质 | 第15-16页 |
| ·金刚石的化学性质 | 第16页 |
| ·CVD 金刚石膜制备方法简介 | 第16-18页 |
| ·热丝化学气相沉积法（HFCVD） | 第16-17页 |
| ·微波等离子体化学气相沉积法（MV-PCVD） | 第17页 |
| ·直流等离子体喷射化学气相沉积法（DC-PJCVD） | 第17-18页 |
| ·直流辉光等离子体化学气相沉积法（DC-PCVD） | 第18页 |
| ·金刚石膜的 p 型掺杂和 n 型掺杂 | 第18-19页 |
| ·金刚石膜的 p 型掺杂 | 第18-19页 |
| ·金刚石膜的 n 型掺杂 | 第19页 |
| ·掺硼金刚石膜的应用 | 第19-21页 |
| ·掺硼金刚石膜在微电子领域的应用 | 第19-20页 |
| ·掺硼金刚石膜在电化学领域的应用 | 第20-21页 |
| ·本文的选题和主要研究内容 | 第21-23页 |
| 第2章 金刚石膜的制备与表征 | 第23-38页 |
| ·直流热阴极等离子体化学气相沉积法简介 | 第23-27页 |
| ·实验设备简介 | 第23-25页 |
| ·高气压下直流辉光放电状态 | 第25-26页 |
| ·阴极 | 第26-27页 |
| ·实验步骤 | 第27-28页 |
| ·实验参数对金刚石膜生长速率的影响 | 第28-32页 |
| ·碳源气体对金刚石膜生长速率的影响 | 第28-30页 |
| ·气压对金刚石膜生长速率的影响 | 第30-31页 |
| ·基片温度对金刚石膜生长速率的影响 | 第31页 |
| ·电流对金刚石膜生长速率的影响 | 第31-32页 |
| ·金刚石膜生长特性 | 第32-35页 |
| ·甲烷流量对金刚石膜表面形貌的影响 | 第32-33页 |
| ·甲烷流量对金刚石膜晶粒取向的影响 | 第33-34页 |
| ·甲烷流量对金刚石膜品质的影响 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-38页 |
| 第3章 掺硼金刚石膜的制备与表征 | 第38-53页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·掺硼金刚石膜的制备 | 第38-40页 |
| ·硼源的选择和掺硼的方法 | 第38-39页 |
| ·实验步骤及工艺参数 | 第39-40页 |
| ·硼酸三甲酯流量对金刚石膜生长特性的影响 | 第40-51页 |
| ·硼酸三甲酯流量对金刚石膜表面形貌的影响 | 第40-41页 |
| ·硼酸三甲酯流量对金刚石膜晶粒取向的影响 | 第41-43页 |
| ·硼酸三甲酯流量对金刚石膜品质的影响 | 第43-45页 |
| ·硼酸三甲酯流量对金刚石膜应力的影响 | 第45-46页 |
| ·掺硼金刚石膜的 XPS 光谱分析 | 第46-49页 |
| ·不同掺硼浓度对金刚石膜电阻率的影响 | 第49-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第4章 微图案金刚石膜制备方法探索 | 第53-60页 |
| ·引言 | 第53页 |
| ·钢基上金刚石膜的制备 | 第53-54页 |
| ·钼粉过渡层的制备 | 第54-55页 |
| ·钼粉过渡层在不同衬底上生长金刚石薄膜的表面形貌分析 | 第55-56页 |
| ·钼粉过渡层在不同衬底上生长金刚石薄膜的 Raman 图谱分析 | 第56-57页 |
| ·钼粉过渡层在不同衬底上生长金刚石薄膜的 XRD 图谱分析 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 第5章 全文总结与展望 | 第60-64页 |
| ·全文总结 | 第60-63页 |
| ·展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
