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基于CMOS和BiCMOS工艺的低噪声放大器与混频器研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-10页
第一章 绪论第10-14页
   ·研究背景及意义第10页
   ·国内外研究现状第10-12页
     ·基于CMOS工艺的60GHz低噪声放大器研究现状第10-12页
     ·2.4GHz可重构低噪声放大器与混频器研究现状第12页
   ·论文结构第12-14页
     ·主要研究内容第12-13页
     ·论文的组织结构第13-14页
第二章 低噪声放大器与混频器基本理论第14-23页
   ·低噪声放大器主要指标第14-19页
     ·增益第14-15页
     ·噪声系数第15-16页
     ·S参数第16-18页
     ·非线性指标第18页
     ·稳定性第18-19页
   ·混频器主要指标第19-22页
     ·转换增益第19-20页
     ·线性度第20-21页
     ·噪声第21页
     ·隔离度第21-22页
   ·小结第22-23页
第三章 低噪声放大器噪声机理与优化方法第23-35页
   ·噪声机理第23-25页
     ·二端口网络的噪声第23-25页
     ·共源放大器噪声第25页
   ·源极串联电感反馈法第25-34页
     ·经典噪声匹配法第26页
     ·噪声和阻抗同时匹配法第26-28页
     ·功耗可控的噪声优化第28-29页
     ·功耗约束下的噪声与阻抗同时匹配第29-31页
     ·源极串联反馈片上电感的LNA噪声优化第31-34页
   ·小结第34-35页
第四章 基于CMOS工艺的60GHZ低噪声放大器研究与设计第35-49页
   ·工艺选择第35-37页
   ·射频MOS管模型第37-38页
   ·60GHz低噪声放大器电路分析与设计第38-45页
     ·共面波导第38-39页
     ·电路结构选择第39-40页
     ·匹配网络设计第40-42页
     ·噪声优化第42-43页
     ·仿真结果第43-45页
   ·低噪声放大器版图设计与后仿第45-47页
     ·版图设计第45页
     ·后仿真结果第45-47页
   ·小结第47-49页
第五章 2.4GHZ单端可重构低噪声放大器分析与设计第49-67页
   ·工艺选择第49页
   ·设计指标第49-50页
   ·电路结构选择第50-56页
     ·低噪声放大器基本结构第50-55页
     ·提出的低噪声放大器电路结构第55-56页
   ·静电放电保护(ESD)功能第56-59页
   ·前仿真结果第59-63页
   ·版图与后仿真第63-66页
   ·小结第66-67页
第六章 2.4GHZ差分低噪声放大器与双平衡混频器分析与设计第67-76页
   ·设计指标与电路结构第67-73页
     ·电路设计指标第67页
     ·混频器主要结构第67-73页
       ·无源混频器第68-69页
       ·有源混频器第69-73页
   ·版图与后仿真第73-75页
   ·小结第75-76页
第七章 总结与展望第76-78页
致谢第78-79页
参考文献第79-82页
攻读硕士期间取得的研究成果第82页

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