低维GaN纳米材料及GaN薄膜的制备与表征
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-30页 |
| ·引言 | 第12页 |
| ·GaN的基本性质 | 第12-14页 |
| ·物理特性 | 第12-13页 |
| ·化学特性 | 第13页 |
| ·光学特性 | 第13-14页 |
| ·电学特性 | 第14页 |
| ·GaN材料的应用 | 第14-15页 |
| ·GaN基发光二极管(LED) | 第14页 |
| ·GaN基激光二极管(LD) | 第14-15页 |
| ·GaN基电子器件 | 第15页 |
| ·GaN基紫外光探测器 | 第15页 |
| ·GaN生长所使用的衬底 | 第15-21页 |
| ·硅衬底 | 第16-18页 |
| ·蓝宝石衬底 | 第18-19页 |
| ·γ-LiAlO_2衬底 | 第19-20页 |
| ·6H-SiC衬底 | 第20页 |
| ·GaN衬底 | 第20-21页 |
| ·小结 | 第21页 |
| ·GaN材料的制备方法 | 第21-26页 |
| ·化学气相沉积(CVD) | 第21-22页 |
| ·氢化物气相外延(HVPE) | 第22-23页 |
| ·金属有机化学气相沉积(MOCVD) | 第23页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第23-24页 |
| ·磁控溅射法(MS) | 第24-25页 |
| ·电泳沉积(EPD) | 第25页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第25-26页 |
| ·溶胶-凝胶法(Sol-Gel) | 第26页 |
| ·低维GaN纳米材料的制备方法 | 第26-27页 |
| ·气-液-固合成法 | 第26页 |
| ·模板生长法 | 第26-27页 |
| ·氧化辅助合成法 | 第27页 |
| ·选题依据 | 第27-30页 |
| 第二章 实验试剂、制备仪器和表征方法 | 第30-34页 |
| ·实验试剂 | 第30页 |
| ·衬底清洗 | 第30-31页 |
| ·实验设备 | 第31-32页 |
| ·喷金系统 | 第31页 |
| ·反应系统 | 第31-32页 |
| ·其它仪器 | 第32页 |
| ·表征及结构分析仪器 | 第32-34页 |
| ·FESEM观察 | 第32页 |
| ·EDS测定 | 第32页 |
| ·XRD分析 | 第32页 |
| ·TEM观察 | 第32-33页 |
| ·PL分析 | 第33-34页 |
| 第三章 低维GaN纳米材料的制备与研究 | 第34-56页 |
| ·GaN纳米线的合成 | 第34-38页 |
| ·样品的制备 | 第34页 |
| ·Si衬底表面金催化剂的形貌观察 | 第34页 |
| ·GaN纳米线的FESEM分析 | 第34-35页 |
| ·GaN纳米线的XRD分析 | 第35-36页 |
| ·GaN纳米线的TEM分析 | 第36页 |
| ·GaN纳米线的PL分析 | 第36-37页 |
| ·GaN纳米线的形成机理分析 | 第37-38页 |
| ·Z形GaN纳米线的合成 | 第38-44页 |
| ·样品的制备 | 第38页 |
| ·反应温度对产物形貌的影响及XRD分析 | 第38-40页 |
| ·反应物质量比对产物形貌的影响及XRD分析 | 第40-41页 |
| ·Z形GaN纳米线的PL谱分析 | 第41-42页 |
| ·Z形GaN纳米线的TEM分析 | 第42-43页 |
| ·Z形GaN纳米线的生长机理分析 | 第43-44页 |
| ·锯齿状GaN纳米线的合成 | 第44-48页 |
| ·样品的制备 | 第44-45页 |
| ·锯齿状GaN纳米线的FESEM分析 | 第45页 |
| ·锯齿状GaN纳米线的XRD分析 | 第45-46页 |
| ·锯齿状GaN纳米线的PL分析 | 第46页 |
| ·锯齿状GaN纳米线的TEM分析 | 第46-48页 |
| ·锯齿状GaN纳米线的生长机理分析 | 第48页 |
| ·Ag辅助GaN纳米管的合成 | 第48-51页 |
| ·样品的制备 | 第48-49页 |
| ·GaN纳米管的FESEM分析 | 第49页 |
| ·GaN纳米管的XRD分析 | 第49-50页 |
| ·GaN纳米管的PL分析 | 第50-51页 |
| ·GaN纳米管的合成机理 | 第51页 |
| ·片状GaN纳米材料的合成 | 第51-56页 |
| ·样品的制备 | 第51-52页 |
| ·片状GaOOH | 第52-53页 |
| ·片状Ga_2O_3 | 第53-54页 |
| ·片状GaN | 第54-56页 |
| 第四章 GaN薄膜的制备与研究 | 第56-66页 |
| ·CVD法制备GaN薄膜 | 第56-59页 |
| ·样品制备 | 第56页 |
| ·氨气流量对GaN薄膜形貌的影响及XRD分析 | 第56-57页 |
| ·反应时间对GaN薄膜形貌的影响及XRD分析 | 第57-59页 |
| ·水热氨化法制备GaN薄膜 | 第59-66页 |
| ·水热法沉积GaOOH薄膜 | 第59-61页 |
| ·退火制备Ga_2O_3薄膜 | 第61-63页 |
| ·氨化制备GaN薄膜 | 第63-65页 |
| ·水热氨化法制备GaN薄膜的形成机理 | 第65-66页 |
| 第五章 结论与展望 | 第66-68页 |
| ·结论 | 第66-67页 |
| ·对今后工作的展望 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-78页 |
| 致谢 | 第78-80页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第80页 |
