| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 1. 绪论 | 第12-25页 |
| ·光电效应的研究历程 | 第12页 |
| ·光电阴极材料发展概述 | 第12-15页 |
| ·GaAs材料的特性 | 第15-16页 |
| ·GaAs材料的生长方法 | 第16-18页 |
| ·GaAs光电阴极研究现状 | 第18-22页 |
| ·GaAs光电阴极制备工艺 | 第18-20页 |
| ·GaAs光电阴极制备方法 | 第20页 |
| ·GaAs光电阴极表面模型 | 第20-22页 |
| ·国内外研究比较 | 第22页 |
| ·本文研究背景及意义 | 第22-23页 |
| ·本文主要工作 | 第23-25页 |
| 2. GaAs阴极中光电子的激发、输运和逸出 | 第25-36页 |
| ·GaAs中光电子的激发 | 第25-26页 |
| ·GaAs中光电子的输运 | 第26-27页 |
| ·高低温激活GaAs阴极中光电子的逸出 | 第27-35页 |
| ·高温Cs激活阴极中光电子的逸出 | 第27-30页 |
| ·高温Cs、O激活阴极中光电子的逸出 | 第30-32页 |
| ·低温Cs激活阴极中光电子的逸出 | 第32-33页 |
| ·低温Cs、O激活阴极中光电子的逸出 | 第33-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 3. GaAs高温退火过程表面清洁度变化表征分析系统 | 第36-51页 |
| ·超高真空系统 | 第36-39页 |
| ·真空系统的组成 | 第36-38页 |
| ·真空度获取 | 第38-39页 |
| ·XPS | 第39-40页 |
| ·QMS | 第40页 |
| ·超高真空室真空度采集分析系统 | 第40-46页 |
| ·硬件组成 | 第40-43页 |
| ·软件编制 | 第43-46页 |
| ·GaAs高温退火过程表面清洁程度变化表征分析 | 第46-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 4. GaAs光电阴极智能激活制备测试系统研制 | 第51-75页 |
| ·GaAs光电阴极智能激活制备测试系统结构、工艺及原理 | 第51-55页 |
| ·系统结构 | 第51-52页 |
| ·智能激活工艺 | 第52-54页 |
| ·光谱响应曲线测试原理 | 第54-55页 |
| ·量子效率曲线测试原理 | 第55页 |
| ·NEA GaAs智能激活制备测试系统的硬件组成 | 第55-61页 |
| ·数字程控恒流源 | 第55-56页 |
| ·光源 | 第56-57页 |
| ·单色仪 | 第57-58页 |
| ·光电流采集仪 | 第58-60页 |
| ·A/D及D/A转换卡 | 第60-61页 |
| ·I/O卡 | 第61页 |
| ·GaAs光电阴极智能激活制备测试系统软件编制 | 第61-71页 |
| ·激活处理 | 第61-69页 |
| ·测试分析 | 第69-71页 |
| ·智能及人工激活制备GaAs阴极实验比较分析 | 第71-74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 5. MBE外延变掺杂GaAs光电阴极设计与实验 | 第75-91页 |
| ·GaAs的MBE外延生长 | 第75-76页 |
| ·GaAs光电阴极量子效率公式 | 第76-78页 |
| ·反射式变掺杂GaAs光电阴极设计与实验 | 第78-82页 |
| ·反射式模拟透射式变掺杂GaAs光电阴极设计与实验 | 第82-85页 |
| ·透射式变掺杂GaAs光电阴极设计与实验 | 第85-90页 |
| ·本章小结 | 第90-91页 |
| 6. 结束语 | 第91-94页 |
| ·本文工作总结 | 第91-92页 |
| ·本文的创新点 | 第92-93页 |
| ·有待进一步解决的问题 | 第93-94页 |
| 致谢 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-107页 |
| 攻读博士期间发表的学术论文 | 第107-108页 |
| 攻读博士期间的获奖情况 | 第108页 |
| 参与项目情况 | 第108页 |
| 申请发明专利 | 第108页 |
