多晶硅绒面制备工艺的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| ·研究背景 | 第9-12页 |
| ·国内外太阳能电池发展趋势 | 第12-13页 |
| ·晶硅太阳能电池中陷光结构的必要性 | 第13-15页 |
| ·晶硅表面织构化工艺的研究 | 第15-17页 |
| ·本文研究的目的及意义 | 第17-18页 |
| ·本文研究内容及创新点 | 第18-19页 |
| 第二章 多晶硅绒面制备的实验方法与分析技术 | 第19-28页 |
| ·化学酸腐蚀法制备多晶硅绒面 | 第19-21页 |
| ·实验材料及试剂 | 第19-20页 |
| ·主要实验仪器 | 第20页 |
| ·化学酸腐蚀工艺 | 第20-21页 |
| ·“二次腐蚀法”制备多晶硅绒面 | 第21-23页 |
| ·实验材料、试剂及仪器 | 第21-22页 |
| ·电化学预腐蚀工艺 | 第22-23页 |
| ·二次酸腐蚀工艺 | 第23页 |
| ·光学掩膜法制备多晶硅绒面 | 第23-27页 |
| ·实验材料、试剂及仪器 | 第24页 |
| ·光刻掩膜工艺 | 第24-26页 |
| ·化学刻蚀工艺 | 第26-27页 |
| ·测试与表征 | 第27-28页 |
| 第三章 化学腐蚀法制备多晶硅绒面的研究 | 第28-40页 |
| ·化学酸腐蚀反应机理 | 第28-30页 |
| ·反应时间对绒面表面形貌及反射率的影响 | 第30-33页 |
| ·腐蚀溶液配比对多晶硅表面形貌和反射率的影响 | 第33-35页 |
| ·缓冲剂对多晶硅绒面质量的影响 | 第35-36页 |
| ·反射特性与表面微结构的关系 | 第36-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 第四章 “二次腐蚀法”制备多晶硅绒面的研究 | 第40-53页 |
| ·电化学腐蚀反应机理 | 第40-41页 |
| ·多晶硅电化学腐蚀的交流阻抗谱图研究 | 第41-44页 |
| ·电化学腐蚀 E-t 曲线的研究 | 第44-46页 |
| ·电流分布对多晶硅织构化效果的影响 | 第46-47页 |
| ·电流密度对多晶硅腐蚀坑尺寸的影响 | 第47-49页 |
| ·化学腐蚀对绒面表面形貌及反射率影响 | 第49-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第五章 光学掩膜对多晶硅织构化的影响研究 | 第53-60页 |
| ·光栅图案对织构化效果的影响 | 第53-55页 |
| ·曝光时间对掩膜效果的影响 | 第55-56页 |
| ·刻蚀工艺对多晶硅陷光效果的影响 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 第六章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 攻读硕士学位期间参加科研及发表论文情况 | 第66-68页 |
| 参加科研情况 | 第66页 |
| 发表论文情况 | 第66页 |
| 参与专利情况 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
