| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-19页 |
| ·论文的研究背景、意义 | 第12-15页 |
| ·论文的结构安排 | 第15-17页 |
| 参考文献 | 第17-19页 |
| 第二章 WDM光网络解复用接收器件研究现状 | 第19-33页 |
| ·WDM解复用器/光探测器的应用现状 | 第20-24页 |
| ·WDM解复用器 | 第20-23页 |
| ·WDM光探测器 | 第23-24页 |
| ·新型WDM解复用接收器件 | 第24-26页 |
| ·基于Michelson干涉仪的MSM可调谐光探测器 | 第24-25页 |
| ·基于AWG的集成解复用接收器件 | 第25页 |
| ·基于微环结构的集成解复用接收器件 | 第25-26页 |
| ·基于Fabry-Perot滤波腔的集成解复用接收器件 | 第26-30页 |
| ·RCE光探测器 | 第27-28页 |
| ·一镜斜置三镜腔光探测器 | 第28-29页 |
| ·GaAs基单片集成可调谐光探测器 | 第29页 |
| ·长波长四镜三腔光探测器 | 第29-30页 |
| ·小结 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-33页 |
| 第三章 外延生长的GaAs基Fabry-Perot滤波腔透射谱的重置 | 第33-49页 |
| ·EG-FPC的透射谱的传统重置方法 | 第33-34页 |
| ·EG-FPC透射谱的计算模型 | 第34-38页 |
| ·改进的EG-FPC透射谱重置方法的实验验证 | 第38-46页 |
| ·实验一 | 第38-42页 |
| ·实验二 | 第42-45页 |
| ·讨论 | 第45-46页 |
| ·小结 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |
| 第四章 基于阶梯型Fabry-Perot滤波腔的可调谐光探测器阵列的制备 | 第49-68页 |
| ·器件基本结构 | 第50-51页 |
| ·理论分析 | 第51-53页 |
| ·器件的外延生长 | 第53-57页 |
| ·器件外延生长质量 | 第57页 |
| ·器件的制备 | 第57-59页 |
| ·器件的测试 | 第59-64页 |
| ·器件的响应谱 | 第59-61页 |
| ·器件的可调谐性 | 第61-62页 |
| ·器件的暗电流 | 第62-63页 |
| ·器件的高速响应 | 第63-64页 |
| ·小结 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-68页 |
| 第五章 GaAs衬底对Fabry-Perot滤波腔透射性能影响的研究 | 第68-80页 |
| ·EG-FPC的基本结构及相关应用 | 第68页 |
| ·基于EG-FPC的光探测器的光谱响应 | 第68-70页 |
| ·EG-FPC透射谱的理论分析 | 第70-75页 |
| ·理论模型 | 第70-71页 |
| ·仿真结果 | 第71-74页 |
| ·实验验证 | 第74-75页 |
| ·讨论 | 第75-76页 |
| ·小结 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-80页 |
| 第六章 基于阶梯型Fabry-Perot滤波腔的平顶响应光探测器的设计 | 第80-106页 |
| ·基于阶梯型F-P滤波腔的硅基可调谐平顶响应光探测器 | 第80-93页 |
| ·前言 | 第80-81页 |
| ·器件基本结构 | 第81-82页 |
| ·理论分析 | 第82-85页 |
| ·F-P滤波腔传输谱的半高宽 | 第85-86页 |
| ·F-P滤波腔具体结构设计与探测器光谱响应之间的关系 | 第86-88页 |
| ·器件响应谱的自由谱域 | 第88-89页 |
| ·器件具体结构设计 | 第89-90页 |
| ·器件的可调谐性 | 第90-91页 |
| ·器件外延生长与制作的探讨 | 第91-92页 |
| ·讨论 | 第92-93页 |
| ·基于阶梯型F-P滤波腔的单片集成可调谐双波长平顶响应光探测器 | 第93-101页 |
| ·前言 | 第93页 |
| ·器件具体结构设计 | 第93-94页 |
| ·理论分析 | 第94-95页 |
| ·响应峰P_A与P_B间的波长间隔 | 第95-96页 |
| ·响应峰P_A与P_B的谱线形状 | 第96-97页 |
| ·器件的可调谐性与波长探测范围 | 第97-100页 |
| ·器件外延生长与制作的探讨 | 第100-101页 |
| ·讨论 | 第101页 |
| ·小结 | 第101-103页 |
| 参考文献 | 第103-106页 |
| 第七章 高性能InP/In_(0.53)Ga_(0.47)As多结PIN光探测器的研究 | 第106-127页 |
| ·多结PIN光探测器的研究进展 | 第106-109页 |
| ·漂移增强型双吸收层PIN光探测器 | 第106-108页 |
| ·多结PIN GaInAsSb/GaSb红外光探测器 | 第108-109页 |
| ·InP/In_(0.53)Ga_(0.47)As多结PIN光探测器 | 第109-118页 |
| ·器件基本结构 | 第110页 |
| ·器件频率响应与3 dB带宽 | 第110-114页 |
| ·器件的BEP | 第114-115页 |
| ·器件具体结构设计 | 第115-118页 |
| ·基于GaAs基DBR反射镜的MJ-PIN-PD | 第118-124页 |
| ·DBR反射镜的选择 | 第118-119页 |
| ·器件基本结构 | 第119-120页 |
| ·器件外延生长 | 第120-121页 |
| ·器件的制作 | 第121-122页 |
| ·理论分析 | 第122-123页 |
| ·器件的测试 | 第123-124页 |
| ·小结 | 第124-125页 |
| 参考文献 | 第125-127页 |
| 第八章 总结 | 第127-129页 |
| 致谢 | 第129-131页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第131-132页 |
