| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 前言 | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-35页 |
| ·引言 | 第12页 |
| ·聚合物电介质材料 | 第12-20页 |
| ·聚合物基电介质材料概述 | 第12-14页 |
| ·聚合物基复合材料的介电常数方程 | 第14-16页 |
| ·聚偏氟乙烯的结构 | 第16-19页 |
| ·β-聚偏氟乙烯的制备工艺 | 第19-20页 |
| ·渗流理论 | 第20-29页 |
| ·渗流理论概述 | 第20-22页 |
| ·临界体积分数f_c(渗流阈值) | 第22-26页 |
| ·渗流理论模型 | 第26-27页 |
| ·渗流理论的应用 | 第27-29页 |
| ·渗流型聚合物基复合材料 | 第29-32页 |
| ·渗流型聚合物基复合材料的研究进展 | 第30-32页 |
| ·渗流型聚合物基复合材料的制备方法 | 第32页 |
| ·渗流型聚合物基复合厚膜材料的研究现状和存在问题 | 第32-33页 |
| ·本课题的研究目的和科学意义 | 第33-35页 |
| 第二章 实验方法 | 第35-41页 |
| ·原料及设备 | 第35-38页 |
| ·实验原材料 | 第35-37页 |
| ·实验设备与器材 | 第37-38页 |
| ·实验过程 | 第38-39页 |
| ·基板的清洗工艺 | 第38页 |
| ·钛酸钡的表面处理 | 第38-39页 |
| ·前驱体溶液的制备 | 第39页 |
| ·厚膜制备 | 第39页 |
| ·分析测试仪器与方法 | 第39-41页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第39-40页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第40页 |
| ·场发射扫描电镜(SEM) | 第40页 |
| ·介电性能测试 | 第40-41页 |
| 第三章 PVDF及PVDF基复合厚膜的制备研究 | 第41-65页 |
| ·引言 | 第41-42页 |
| ·PVDF厚膜的制备研究 | 第42-46页 |
| ·实验原料和过程 | 第42页 |
| ·结果与讨论 | 第42-46页 |
| ·PVDF/AB复合厚膜的制备研究 | 第46-50页 |
| ·实验原料和过程 | 第46-47页 |
| ·结果与讨论 | 第47-50页 |
| ·PVDF/BaTiO_3复合厚膜制备研究 | 第50-57页 |
| ·实验原料和过程 | 第50页 |
| ·结果与讨论 | 第50-57页 |
| ·PVDF/BaTiO_3/AB复合厚膜的制备研究 | 第57-63页 |
| ·实验原料和过程 | 第57-58页 |
| ·结果与讨论 | 第58-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第四章 PVDF/AB两相复合厚膜的介电性能研究 | 第65-78页 |
| ·引言 | 第65-66页 |
| ·基体(PVDF)厚膜的介电性能研究 | 第66-70页 |
| ·热处理温度对基体(PVDF)厚膜介电性能的影响 | 第66-69页 |
| ·热处理时间对基体(PVDF)厚膜介电性能的影响 | 第69-70页 |
| ·PVDF/AB两相复合厚膜的介电性能研究 | 第70-76页 |
| ·PVDF/AB两相复合厚膜的介电性能的渗流理论分析 | 第70-72页 |
| ·PVDF/AB两相复合厚膜的超低渗流阈值 | 第72-73页 |
| ·PVDF/AB两相复合厚膜超低介电损耗 | 第73-75页 |
| ·PVDF/AB两相复合厚膜的介电常数的频率依赖性 | 第75-76页 |
| ·本章小结 | 第76-78页 |
| 第五章 PVDF/BaTiO_3-AB三相复合厚膜的介电性能研究 | 第78-90页 |
| ·引言 | 第78-79页 |
| ·基体(PVDF/BaTiO_3)复合厚膜的介电性能研究 | 第79-84页 |
| ·PVDF/BaTiO_3-AB三相复合厚膜的的介电性能研究 | 第84-86页 |
| ·表面处理对PVDF/BaTiO_3-AB复合厚膜的介电性能的影响 | 第86-89页 |
| ·本章小结 | 第89-90页 |
| 第六章 结论 | 第90-93页 |
| 参考文献 | 第93-102页 |
| 附录:硕士研究生期间发表的论文及专利清单 | 第102-103页 |
| 致谢 | 第103页 |
