| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 文献综述和选题背景 | 第7-36页 |
| ·国内外关于低介电材料的研究现状及意义 | 第7页 |
| ·介电材料性能要求 | 第7-9页 |
| ·降低材料介电常数的方法 | 第9-10页 |
| ·低介电常数材料概述 | 第10-24页 |
| ·本身具有低介电性能的材料 | 第-7--4页 |
| ·掺F低介电材料 | 第-4--3页 |
| ·低介电孔洞材料 | 第-3-24页 |
| ·目前IC低介电材料的制备方法及对介电常数的影响 | 第24-26页 |
| ·旋转涂布(Spin coating) | 第24-26页 |
| ·目前低介电多孔薄膜材料存在的不足和课题的提出 | 第26-29页 |
| ·目前低介电薄膜材料存在的不足 | 第26-27页 |
| ·课题的提出 | 第27页 |
| ·研究方案 | 第27-29页 |
| ·参考文献: | 第29-36页 |
| 第二章 Methyl-T_8的合成及表征 | 第36-53页 |
| ·引言 | 第36页 |
| ·甲基取代笼形八聚倍半硅氧烷(Methyl-T_8)的合成 | 第36-43页 |
| ·合成路线和反应原理 | 第36-38页 |
| ·化学原料及试剂 | 第38页 |
| ·仪器设备 | 第38页 |
| ·实验过程 | 第38页 |
| ·实验条件的优化 | 第38-43页 |
| ·结构与表征 | 第43-46页 |
| ·FTIR表征 | 第43-44页 |
| ·~29Si NMR表征 | 第44页 |
| ·粉末X射线衍射表征 | 第44-45页 |
| ·Methyl-T_8的单晶X射线表征 | 第45-46页 |
| ·结果与讨论 | 第46页 |
| ·结论 | 第46页 |
| ·参考文献 | 第46-48页 |
| 附图 | 第48-53页 |
| 第三章 POSS基多孔薄膜的制备及介电性能 | 第53-76页 |
| ·引言 | 第53-54页 |
| ·POSS溶胶多孔薄膜材料的制备 | 第54-55页 |
| ·主要试剂和原料 | 第54页 |
| ·主要设备仪器 | 第54页 |
| ·实验过程 | 第54-55页 |
| ·结果与讨论 | 第55-67页 |
| ·POSS溶胶的IR表征 | 第55-57页 |
| ·旋转速度对薄膜厚度的影响 | 第57-58页 |
| ·原子力显微镜表征薄膜的表面粗糙度 | 第58页 |
| ·烧结温度对薄膜成分的影响 | 第58-62页 |
| ·多孔薄膜的BET表征 | 第62-64页 |
| ·表面修饰对多孔薄膜的介电常数的影响 | 第64-67页 |
| ·小结 | 第67-68页 |
| ·参考文献 | 第68-69页 |
| 附图 | 第69-76页 |
| 第四章 低介电薄膜的孔洞大小及介电性控制研究 | 第76-96页 |
| ·引言 | 第76-77页 |
| ·实验部分 | 第77-79页 |
| ·主要试剂和原料 | 第77页 |
| ·主要设备仪器 | 第77-78页 |
| ·实验过程 | 第78-79页 |
| ·结果与讨论 | 第79-91页 |
| ·TGA分析 | 第79-82页 |
| ·FTIR表征 | 第82-83页 |
| ·多孔薄膜的结构表征 | 第83-90页 |
| ·表面活性剂浓度对薄膜介电常数的影响 | 第90页 |
| ·TEM表征 | 第90-91页 |
| ·小结 | 第91-92页 |
| ·参考文献 | 第92-93页 |
| 附图 | 第93-96页 |
| 致谢 | 第96页 |