| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 1 绪论 | 第12-38页 |
| ·自旋电子学与稀磁半导体 | 第13-16页 |
| ·氧化物稀磁半导体研究概述 | 第16-20页 |
| ·氧化物稀磁半导体铁磁性的起源 | 第20-33页 |
| ·铁磁/反铁磁受限磁系统的交换偏置效应 | 第33-35页 |
| ·本论文的选题依据 | 第35-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 2. TiO_2/SnO_2稀磁半导体的制备、结构分析与物性测量 | 第38-45页 |
| ·TiO_2/SnO_2 稀磁半导体样品的制备 | 第38-42页 |
| ·TiO_2/SnO_2 稀磁半导体样品的结构分析 | 第42-44页 |
| ·TiO_2/SnO_2 稀磁半导体样品的物性测量 | 第44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 3 锰掺杂TiO_2稀磁半导体块材的磁性 | 第45-64页 |
| ·Ti_(1-x)Mn_xO_2 块材样品的微结构分析 | 第46-50页 |
| ·烧结温度对Ti_(1-x)Mn_xO_2（x=0.O_2）块材样品的磁化行为的影响 | 第50-53页 |
| ·烧结气氛对Ti_(1-x)Mn_xO_2（x=0.O_2）块材样品的磁化行为的影响 | 第53-56页 |
| ·掺杂浓度对Ti_(1-x)Mn_xO_2 块材样品的磁化行为的影响 | 第56-59页 |
| ·Ti_(1-x)Mn_xO_2 稀磁半导体块材样品铁磁性的起源 | 第59-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 4 锰掺杂TiO_2块材样品的交换偏置效应 | 第64-74页 |
| ·氧化物稀磁半导体中的交换偏置效应 | 第64-65页 |
| ·Ti_(1-x)Mn_xO_2 块材样品的交换偏置效应 | 第65-72页 |
| ·Ti_(1-x)Mn_xO_2 块材样品的磁交换偏置效应与铁磁性的关系 | 第72-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 5 钒掺杂TiO_2稀磁半导体纳米粉的磁性 | 第74-91页 |
| ·Ti_(1-x)V_xO_2 纳米粉的微结构分析 | 第75-79页 |
| ·Ti_(1-x)V_xO_2 纳米粉的光谱特性 | 第79-81页 |
| ·Ti_(1-x)V_xO_2 纳米粉的磁性研究 | 第81-87页 |
| ·Ti_(1-x)V_xO_2 纳米粉室温铁磁性的起源 | 第87-90页 |
| ·本章小结 | 第90-91页 |
| 6 锰掺杂SnO_2稀磁半导体纳米粉的磁性 | 第91-103页 |
| ·Sn_(1-x)Mn_xO_2 纳米粉的微结构分析 | 第91-94页 |
| ·Sn_(1-x)Mn_xO_2（x=0.03）纳米粉的XPS 光谱特性 | 第94-95页 |
| ·掺杂浓度对Sn_(1-x)Mn_xO_2 纳米粉磁化行为的影响 | 第95-97页 |
| ·烧结温度对Sn_(1-x)Mn_xO_2（x＝0.03）纳米粉磁化行为的影响 | 第97-98页 |
| ·锑共掺杂对Sn_(1-x)Mn_xO_2（x＝0.03）纳米粉电磁性质影响 | 第98-99页 |
| ·Sn_(1-x)Mn_xO_2 纳米粉室温铁磁性的起源 | 第99-102页 |
| ·本章小结 | 第102-103页 |
| 7 MFe_2O_4/NiO(M=Ni、Cu) 复合材料的交换偏置效应 | 第103-118页 |
| ·MFe_2O_4/NiO(M=Ni、Cu) 复合材料的制备工艺 | 第103-104页 |
| ·(1-x) NiO/xNiFe_2O_4（x=0.05）复合材料的微结构分析 | 第104-106页 |
| ·(1-x) NiO/xNiFe_2O_4（x=0.05）复合材料的交换偏置效应 | 第106-112页 |
| ·(1-x) NiO/xCuFe_2O_4（x=0.05）纳米复合材料的微结构分析 | 第112-114页 |
| ·(1-x)NiO/xCuFe_2O_4（x=0.05）纳米复合材料的交换偏置效应 | 第114-116页 |
| ·本章小结 | 第116-118页 |
| 8 全文总结 | 第118-120页 |
| 致谢 | 第120-121页 |
| 参考文献 | 第121-135页 |
| 附录I 博士期间发表和待发表文章清单 | 第135-137页 |
| 附录Ⅱ 博士期间提交发明专利 | 第137页 |
