| 致谢 | 第1-7页 |
| 摘要 | 第7-9页 |
| Abstract | 第9-11页 |
| 目次 | 第11-14页 |
| 第一章 前言 | 第14-17页 |
| 第二章 文献综述 | 第17-48页 |
| ·太阳电池发展概况 | 第17-19页 |
| ·太阳电池的原理 | 第19-22页 |
| ·光伏效应 | 第19-21页 |
| ·太阳电池原理 | 第21-22页 |
| ·体硅及几种薄膜太阳电池的国内外研究现状 | 第22-29页 |
| ·CuInS_2薄膜太阳电池 | 第29-44页 |
| ·CuInS_2薄膜的性质 | 第29-32页 |
| ·CuInS_2薄膜电池的发展历程 | 第32-35页 |
| ·CuInS_2薄膜的主要制备方法 | 第35-41页 |
| ·真空蒸发法制备CIS薄膜 | 第35-36页 |
| ·溅射法制备CIS薄膜 | 第36-38页 |
| ·电化学法制备CIS薄膜 | 第38-39页 |
| ·喷雾热解法制备CIS薄膜 | 第39页 |
| ·连续离子层吸附反应法制备CIS薄膜 | 第39-40页 |
| ·浸渍离子层气相反应法制备CIS薄膜 | 第40页 |
| ·化学水浴法制备CIS薄膜 | 第40-41页 |
| ·CuInS_2薄膜太阳电池结构 | 第41-43页 |
| ·CuInS_2薄膜太阳电池制造工艺 | 第43-44页 |
| ·缓冲层ZnS薄膜研究概况 | 第44-45页 |
| ·选题目的及研究内容 | 第45-48页 |
| 第三章 一步化学水浴法制备CuInS_2(CIS)薄膜 | 第48-68页 |
| ·实验目的 | 第48页 |
| ·实验用品及设备 | 第48页 |
| ·一步化学水浴法实验原理及实验过程 | 第48-49页 |
| ·测试设备 | 第49-52页 |
| ·化学水浴法生长薄膜的机理探讨 | 第52-53页 |
| ·生长参数对CIS薄膜生长的影响 | 第53-58页 |
| ·离子浓度对薄膜生长的影响 | 第53-56页 |
| ·水浴温度对薄膜生长的影响 | 第56-57页 |
| ·反应时间对薄膜生长的影响 | 第57页 |
| ·溶液pH值对薄膜生长的影响 | 第57-58页 |
| ·络合剂对薄膜生长的影响 | 第58-60页 |
| ·不同衬底对薄膜生长的影响 | 第60-61页 |
| ·热处理对CIS薄膜结晶及光电性能的影响 | 第61-66页 |
| ·本章小结 | 第66-68页 |
| 第四章 多步化学水浴法制备CuInS_2薄膜 | 第68-91页 |
| ·实验目的 | 第68页 |
| ·实验原理 | 第68-69页 |
| ·沉积In_2S_3薄膜 | 第68页 |
| ·沉积Cu_xS薄膜 | 第68-69页 |
| ·CuInS_2薄膜生成 | 第69页 |
| ·实验用品及设备 | 第69页 |
| ·实验内容 | 第69-70页 |
| ·测试设备 | 第70页 |
| ·衬底对In_2S_3薄膜与衬底结合力的影响 | 第70页 |
| ·衬底对In_2S_3薄膜表面形貌的影响 | 第70-72页 |
| ·生长参数对In_2S_3薄膜生长的影响 | 第72-76页 |
| ·In离子浓度对In_2S_3薄膜沉积的影响 | 第72-74页 |
| ·水浴温度对In_2S_3薄膜沉积厚度和沉积时间的影响 | 第74-75页 |
| ·溶液pH值对In_2S_3薄膜沉积的影响 | 第75-76页 |
| ·生长参数对Cu_xS薄膜生长的影响 | 第76-80页 |
| ·Cu离子浓度对Cu_xS薄膜沉积的影响 | 第76-78页 |
| ·反应温度对Cu_xS薄膜沉积的影响 | 第78页 |
| ·反应时间对Cu_xS薄膜沉积的影响 | 第78-79页 |
| ·溶液pH值对Cu_xS薄膜沉积的影响 | 第79-80页 |
| ·表面活性剂对沉积In_2S_3薄膜形貌的影响 | 第80-83页 |
| ·热处理对CIS薄膜结晶及光电性能的影响 | 第83-89页 |
| ·本章小结 | 第89-91页 |
| 第五章 化学镀法制备CuInS_2薄膜 | 第91-101页 |
| ·化学镀的发展简史 | 第91-92页 |
| ·化学镀的特点 | 第92页 |
| ·化学镀的用途 | 第92-94页 |
| ·化学镀制备CuInS_2薄膜的意义 | 第94页 |
| ·实验用品和实验过程 | 第94-95页 |
| ·生长参数对薄膜生长的影响 | 第95-98页 |
| ·生长参数对Cu薄膜生长的影响 | 第95-97页 |
| ·生长参数对In薄膜生长的影响 | 第97-98页 |
| ·热处理对薄膜结晶的影响 | 第98-100页 |
| ·本章小结 | 第100-101页 |
| 第六章 化学水浴法制备ZnS薄膜 | 第101-112页 |
| ·研究目的 | 第101页 |
| ·实验用品及设备 | 第101页 |
| ·实验原理 | 第101页 |
| ·生长参数对ZnS薄膜生长的影响 | 第101-106页 |
| ·pH值对薄膜沉积的影响 | 第101-102页 |
| ·Zn(NO)_3对薄膜沉积的影响 | 第102-103页 |
| ·硫脲对薄膜沉积的影响 | 第103-104页 |
| ·柠檬酸钠对薄膜沉积的影响 | 第104-105页 |
| ·温度对薄膜沉积的影响 | 第105-106页 |
| ·络合剂对ZnS薄膜生长的影响 | 第106-107页 |
| ·热处理对ZnS薄膜性能的影响 | 第107-110页 |
| ·本章小结 | 第110-112页 |
| 第七章 全文结论 | 第112-115页 |
| 参考文献 | 第115-121页 |
| 作者简历及在攻读博士学位期间主要科研成果 | 第121页 |