硅基MEMS三维结构湿法腐蚀技术研究
| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-16页 |
| ·MEMS的概念及特点 | 第8-9页 |
| ·MEMS的研究领域 | 第9-10页 |
| ·MEMS在国内外的研究现状 | 第10-11页 |
| ·国外研究现状 | 第10-11页 |
| ·国内研究现状 | 第11页 |
| ·MEMS主要加工工艺 | 第11-15页 |
| ·表面加工技术 | 第12页 |
| ·体微加工技术 | 第12-15页 |
| ·MEMS加工技术目前存在的问题 | 第15页 |
| ·本课题研究的主要内容及特点 | 第15-16页 |
| 第2章 硅湿法化学腐蚀机理与腐蚀模型 | 第16-25页 |
| ·硅材料性能简介 | 第16页 |
| ·各向同性腐蚀和硅各向异性腐蚀机理 | 第16-18页 |
| ·腐蚀模型 | 第18-23页 |
| ·原子晶格结构腐蚀模型 | 第18-19页 |
| ·活化离子腐蚀模型 | 第19-20页 |
| ·以能带论和电化学理论为基础的模型 | 第20-22页 |
| ·类比晶体生长理论的模型 | 第22-23页 |
| ·腐蚀模型中主要晶面的原子分布 | 第23-25页 |
| 第3章 硅基MEMS三维结构光刻工艺实验 | 第25-34页 |
| ·实验设备及原材料 | 第25页 |
| ·光刻工艺流程图 | 第25-26页 |
| ·基体材料的选取及硅基片的前期处理 | 第26-27页 |
| ·基体材料的选取 | 第26页 |
| ·掩膜图形设计 | 第26页 |
| ·硅基片的前期予处理 | 第26-27页 |
| ·掩蔽膜的制备 | 第27-29页 |
| ·SiO_2性能概述 | 第27页 |
| ·SiO_2掩膜的制备 | 第27-29页 |
| ·硅基片的光刻 | 第29-30页 |
| ·光刻工艺概述 | 第29页 |
| ·光刻工艺步骤 | 第29-30页 |
| ·实验结果与分析 | 第30-33页 |
| ·掩蔽膜腐蚀时间实验 | 第30-31页 |
| ·前烘温度实验 | 第31-33页 |
| ·本章小节 | 第33-34页 |
| 第4章 硅基湿法腐蚀技术研究 | 第34-49页 |
| ·实验设备及原材料 | 第34页 |
| ·实验结果与分析 | 第34-43页 |
| ·硅在K~+溶液中各向异性概述 | 第34-36页 |
| ·不同硅材料对三维结构的影响 | 第36-37页 |
| ·异丙醇含量对三维微结构的影响 | 第37-41页 |
| ·KOH浓度对三维微结构的影响 | 第41-42页 |
| ·腐蚀时间对三维微结构的影响 | 第42-43页 |
| ·利用湿法工艺制作的圆形MEMS结构阵列 | 第43-48页 |
| ·圆台状阵列 | 第43-45页 |
| ·圆孔状深槽阵列 | 第45-46页 |
| ·各向同性腐蚀修饰 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第5章 结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 附录 攻读硕士学位期间拟发表的论文 | 第54页 |
