| 中文摘要 | 第1-7页 |
| 英文摘要 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-28页 |
| ·铁电体的研究背景与应用范围 | 第9-10页 |
| ·铁电体特性概述 | 第10-13页 |
| ·铁电体基本概念 | 第10-11页 |
| ·铁电体的分类 | 第11-13页 |
| ·铁电存储器研究概述 | 第13-15页 |
| ·铁电材料的研究现状 | 第15-20页 |
| ·与铁电记忆存储有关的物理问题和记忆材料性能标准 | 第15-16页 |
| ·铁电薄膜的制备方法 | 第16-18页 |
| ·Bi 系层状钙钛矿的研究现状及存在的问题 | 第18-19页 |
| ·材料改性的方法 | 第19-20页 |
| ·本文研究的主要内容与方法 | 第20-28页 |
| 第二章 样品制备及性能测试 | 第28-40页 |
| ·Sol-Gel 技术简介 | 第28-29页 |
| ·Sol-Gel 制备铁电薄膜技术概述 | 第29-35页 |
| ·Sol-Gel 的基本原理 | 第29-31页 |
| ·Sol-Gel 制备铁电薄膜的工艺过程 | 第31-35页 |
| ·薄膜样品的性能测试方法 | 第35-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 第三章 用Sol-Gel 方法制备SBTi 薄膜 | 第40-48页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·样品的制备 | 第40-41页 |
| ·性能测试 | 第41-46页 |
| ·SBTi 薄膜的结构分析 | 第41-42页 |
| ·SBTi 薄膜的电滞回线 | 第42-44页 |
| ·SBTi 薄膜的疲劳性能 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 A 位掺杂的SBTi 薄膜的制备及其性能研究 | 第48-65页 |
| ·Nd 掺杂SBTi 薄膜的制备及其性能研究 | 第48-54页 |
| ·引言 | 第48-49页 |
| ·样品的制备 | 第49页 |
| ·性能测试 | 第49-54页 |
| ·Sr_(2-x)Bi_(4+2x/3)Ti_5O_(18)铁电薄膜的制备及其性能研究 | 第54-60页 |
| ·引言 | 第54-55页 |
| ·样品的制备 | 第55-56页 |
| ·性能测试 | 第56-60页 |
| ·本章小结 | 第60-65页 |
| 第五章 B 位掺杂SBTi 薄膜性能研究 | 第65-74页 |
| ·引言 | 第65页 |
| ·V~(5+)掺杂 SBTi(Sr_2Bi_(3.994)Ti_(4.982)V_(0.018)O_(18): SBTV)薄膜的制备 | 第65页 |
| ·SBTV 薄膜的性能测试 | 第65-71页 |
| ·SBTV 薄膜的微结构表征 | 第65-67页 |
| ·SBTV 薄膜的铁电回线 | 第67-69页 |
| ·SBTV 薄膜的抗疲劳特性 | 第69-71页 |
| ·本章小结 | 第71-74页 |
| 第六章 不等价A 位掺杂对Sr_2Bi_4Ti_5O_(18)陶瓷性能的影响 | 第74-82页 |
| ·引言 | 第74-75页 |
| ·样品制备与性能测试 | 第75页 |
| ·结果和讨论 | 第75-79页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第75-76页 |
| ·SNBT-x 陶瓷样品的SEM 形貌图 | 第76页 |
| ·SNBT-x 陶瓷样品的铁电性能 | 第76-78页 |
| ·SNBT-x 样品的变温介电谱 | 第78-79页 |
| ·本章小结 | 第79-82页 |
| 第七章 工作总结及今后要点 | 第82-84页 |
| ·工作总结 | 第82-83页 |
| ·今后工作要点 | 第83-84页 |
| 研究生期间已发表和待发表的论文 | 第84-85页 |
| 致谢 | 第85页 |
