| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-7页 |
| 1 绪论 | 第7-9页 |
| 2 背景介绍 | 第9-19页 |
| ·光刻与光阻在集成电路制造工艺中使用 | 第9-13页 |
| ·光刻简述 | 第9-10页 |
| ·光刻技术发展 | 第10-13页 |
| ·刻蚀工艺在集成电路制造工艺中的发展和原理 | 第13-19页 |
| ·刻蚀工艺概述 | 第13-14页 |
| ·刻蚀技术中的关键参数 | 第14-15页 |
| ·等离子体刻蚀技术的基本机制 | 第15-16页 |
| ·等离子体刻蚀的基本种类 | 第16-19页 |
| 3 193nm 光阻在绝缘体刻蚀中的问题与解决方案 | 第19-43页 |
| ·193nm 光阻在绝缘体刻蚀中的问题与形成原因 | 第19-29页 |
| ·193nm 和248nm 光阻的比 | 第19-22页 |
| ·测试导致光阻表面粗糙的因素 | 第22-29页 |
| ·不同刻蚀工艺参数对193 光阻的影响 | 第29-39页 |
| ·不同刻蚀气体对光阻的影响 | 第30-31页 |
| ·气体压力对光阻的影响 | 第31-34页 |
| ·温度对光阻的影响 | 第34-35页 |
| ·不同频率的射频（RF）对光阻的影响 | 第35-37页 |
| ·氢气对光阻的影响 | 第37-38页 |
| ·对于工艺参数调整的综合 | 第38-39页 |
| ·对于Contract Etch 中，193 光阻striation 的改进 | 第39-43页 |
| 4 小结与展望 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-46页 |
| 致谢 | 第46-47页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第47-49页 |