| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-23页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·量子点的形成方式 | 第9-13页 |
| ·化学气相沉积法 | 第9-10页 |
| ·金属诱导法 | 第10页 |
| ·离子注入法 | 第10-11页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第11页 |
| ·磁控溅射法 | 第11-13页 |
| ·高密度量子点的研究进展 | 第13-16页 |
| ·硅基纳米发光材料的发光机理 | 第13-14页 |
| ·量子限制(quantum confinement effect, QCE)模型 | 第13页 |
| ·发光中心(luminescent center, LCs)模型 | 第13页 |
| ·量子限制-发光中心(QC-LCs)模型 | 第13-14页 |
| ·表面态和界面态模型 | 第14页 |
| ·高密度量子点的研究现状 | 第14-16页 |
| ·氮化物在高温下的分解现象 | 第16-21页 |
| ·Si-N 系统中N 的易逃逸性 | 第16-20页 |
| ·其他氮化物在加热过程中的氮流失现象 | 第20-21页 |
| ·本试验的思路及创新之处 | 第21-23页 |
| 第二章 试验材料与试验装置 | 第23-26页 |
| ·试验材料 | 第23页 |
| ·试验的制备与测试设备 | 第23-26页 |
| ·JGP450G 型三靶共溅射高真空磁控溅射设备 | 第23-24页 |
| ·GSL1600X 真空管式高温炉 | 第24页 |
| ·F4500 荧光分光光度计 | 第24页 |
| ·Tecnai G2 F20 场发射透射电子显微镜 | 第24页 |
| ·X 射线光电子能谱仪 | 第24-25页 |
| ·傅立叶变换红外光谱仪 | 第25-26页 |
| 第三章 SiO_xN_y薄膜退火过程中氮流失现象的研究 | 第26-43页 |
| ·溅射参数对SiO_xN_y 薄膜成分及性能的影响 | 第26-36页 |
| ·反应溅射法制备非晶SiO_xN_y 薄膜 | 第26-27页 |
| ·Ar/N_2 流量比对薄膜成分及性能的影响 | 第27-35页 |
| ·Ar/N_2 流量比对薄膜成分的影响 | 第27-29页 |
| ·Ar/N_2 流量比对薄膜中价键的影响 | 第29-32页 |
| ·Ar/N_2 流量比对薄膜发光性能的影响 | 第32-35页 |
| ·靶材对薄膜成分的影响 | 第35-36页 |
| ·SiO_xN_y 薄膜的高温退火研究 | 第36-43页 |
| ·炉内退火处理 | 第36-37页 |
| ·分析与讨论 | 第37-43页 |
| ·成分研究( EDS ) | 第37-38页 |
| ·微观结构研究（TEM） | 第38-40页 |
| ·表面键研究（FTIR） | 第40-41页 |
| ·光致发光性能研究（PL） | 第41-43页 |
| 第四章 SiC_xN_y薄膜分解制备SiC 量子点的研究 | 第43-51页 |
| ·反应溅射制备薄膜样品 | 第43页 |
| ·炉内退火处理 | 第43-44页 |
| ·分析与讨论 | 第44-51页 |
| ·微观结构研究（TEM） | 第44-46页 |
| ·表面价态分析（XPS） | 第46-49页 |
| ·光致发光性能研究（PL） | 第49-51页 |
| 第五章 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-60页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
