| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-15页 |
| §1-1 半导体激光器概述 | 第12-13页 |
| §1-2 高效率半导体激光器 | 第13页 |
| §1-3 国内外研究情况 | 第13-14页 |
| 1-3-1 国外研究现状 | 第13-14页 |
| 1-3-2 国内发展现状 | 第14页 |
| §1-4 论文研究内容 | 第14-15页 |
| 第二章 MOCVD 外延技术 | 第15-20页 |
| §2-1 MOCVD 外延生长技术介绍 | 第15-16页 |
| 2-1-1 MOCVD 的工作原理 | 第15-16页 |
| 2-1-2 MOCVD 的分类 | 第16页 |
| §2-2 MOCVD 设备简介 | 第16-18页 |
| 2-2-1 MOCVD 设备系统 | 第16-17页 |
| 2-2-2 气体源供给系统 | 第17页 |
| 2-2-3 反应室和加热系统 | 第17-18页 |
| 2-2-4 尾气处理系统 | 第18页 |
| 2-2-5 微机自控及系统安全保护报警系统 | 第18页 |
| 2-2-6 测漏装置 | 第18页 |
| §2-3 外延材料参数的测试技术 | 第18-20页 |
| 第三章 半导体激光器效率的理论分析与量子阱的优化设计 | 第20-35页 |
| §3-1 半导体激光器的效率 | 第20-24页 |
| 3-1-1 电光转换效率η_p | 第20-21页 |
| 3-1-2 内量子效率η_i | 第21页 |
| 3-1-3 外量子效率η_(ex) | 第21页 |
| 3-1-4 外微分量子效率η_d | 第21-24页 |
| §3-2 激光器材料的选择 | 第24-26页 |
| 3-2-1 提高激光器效率的途径 | 第24页 |
| 3-2-2 激光器材料的选择 | 第24-26页 |
| 3-2-3 激光器量子阱材料的选择 | 第26页 |
| §3-3 应变量子阱对阈值电流密度的影响 | 第26-34页 |
| 3-3-1 应变简介与临界厚度 | 第26-27页 |
| 3-3-2 应变量子阱的能带结构 | 第27-31页 |
| 3-3-3 量子阱应变对激光器透明电流密度的影响 | 第31-33页 |
| 3-3-4 应变量子阱激光器的增益特性 | 第33-34页 |
| §3-4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 计算机模拟设计高效率半导体激光器结构 | 第35-44页 |
| §4-1 电压特性模拟 | 第35-39页 |
| 4-1-1 模拟结构 | 第35-36页 |
| 4-1-2 模拟结果 | 第36-39页 |
| §4-2 量子阱的模拟 | 第39-43页 |
| 4-2-1 量子阱参数 | 第39-40页 |
| ·量子阱结构设计 | 第40-43页 |
| §4-3 本章小结 | 第43-44页 |
| 第五章 高效率半导体激光器器件制备及结果分析 | 第44-49页 |
| §5-1 外延生长及工艺制备 | 第44-46页 |
| §5-2 器件测试结果及分析 | 第46-49页 |
| 第六章 结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 附录 A | 第54-56页 |
| 附录 B | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58页 |