| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-16页 |
| ·概述 | 第7页 |
| ·Al-Mg-Si合金的开发应用概况 | 第7-8页 |
| ·工艺使用性能 | 第7-8页 |
| ·应用状况 | 第8页 |
| ·Al-Mg-Si合金的研究现状 | 第8-13页 |
| ·Al-Mg-Si合金相图 | 第9页 |
| ·Al-Mg-Si合金析出序列 | 第9-13页 |
| ·Mg_2Si及Si含量对合金性能的影响 | 第13页 |
| ·Al-Mg-Si合金时效强化机理 | 第13-15页 |
| ·铝合金时效强化机理 | 第13-14页 |
| ·Al-Mg-Si合金时效强化机理 | 第14-15页 |
| ·研究目的和意义 | 第15-16页 |
| 第二章 固体经验电子理论与程氏理论 | 第16-28页 |
| ·引言 | 第16页 |
| ·基本概念 | 第16-18页 |
| ·EET理论的几个基本假设 | 第18-21页 |
| ·关于分子和固体中原子状态的假定 | 第18-19页 |
| ·关于不连续状态杂化的假定 | 第19-20页 |
| ·关于键距的假定 | 第20-21页 |
| ·关于等效价电子的假定 | 第21页 |
| ·键距差(BLD)法 | 第21-25页 |
| ·BLD法的基本思想 | 第21-23页 |
| ·BLD法 | 第23-25页 |
| ·键能的计算 | 第25-26页 |
| ·键能的计算 | 第25页 |
| ·异种原子共价键的键能的计算 | 第25-26页 |
| ·程氏理论(TFD理论) | 第26-28页 |
| 第三章 Al-Mg-Si合金价电子结构与强化机理 | 第28-45页 |
| ·基体的价电子结构计算 | 第28-29页 |
| ·Al晶胞的键络 | 第28页 |
| ·Al的价电子描述 | 第28-29页 |
| ·Al-Mg-Si合金固溶体的价电子结构及其强化机理 | 第29-33页 |
| ·Al-Mg-Si合金熔体偏聚晶胞的价电子结构计算 | 第29-32页 |
| ·熔体的结构遗传因子 | 第32-33页 |
| ·Al-1.6wt％Mg_2Si合金固溶体的强化机理 | 第33页 |
| ·Al-Mg-Si合金中各相的滑移面结合因子H及其强化机理 | 第33-44页 |
| ·滑移面结合因H子的提出 | 第34-37页 |
| ·滑移面结合因子H的优势与不足 | 第37页 |
| ·合金中各相的滑移面结合因子H及其强化机理 | 第37-44页 |
| 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 Al-Mg-Si合金界面性能及强化机理 | 第45-59页 |
| ·界面概述 | 第45-47页 |
| ·固体中的相界面 | 第45-47页 |
| ·异相界面电子结构及界面能计算 | 第47-50页 |
| ·异相界面电子结构计算 | 第47-48页 |
| ·界面能的计算 | 第48-50页 |
| ·GP区、β(Mg_2Si)及β-Si相与基体的界面电子结构及界面能 | 第50-57页 |
| ·GP区、β(Mg_2Si)及β-Si相与基体的界面电子结构 | 第50-54页 |
| ·GP区、β(Mg_2Si)及β-Si相与基体的界面能 | 第54-57页 |
| ·界面电子结构、界面能与析出序列及合强化机理 | 第57-58页 |
| ·析出序列 | 第57-58页 |
| ·强化机理 | 第58页 |
| 本章小节 | 第58-59页 |
| 第五章 总结 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 附录一 杂化表的建造过程 | 第63页 |
| 附录二 原子状态杂化表 | 第63-65页 |
| 附录三 部分元素的屏蔽作用系数b值 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第67页 |
