SiN_x硬盘保护膜的制备及其性能表征
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1. 绪论 | 第8-21页 |
| ·选题意义 | 第8页 |
| ·微波ECR等离子体源的特点 | 第8-9页 |
| ·溅射沉积技术的发展与应用 | 第9-13页 |
| ·溅射现象 | 第10页 |
| ·溅射沉积方法 | 第10-11页 |
| ·微波ECR等离子体增强溅射沉积及其发展 | 第11-12页 |
| ·溅射沉积技术的应用 | 第12-13页 |
| ·氮化硅薄膜的研究现状 | 第13-20页 |
| ·氮化硅薄膜简述 | 第13页 |
| ·氮化硅薄膜的生长机理及其微观结构 | 第13-15页 |
| ·氮化硅薄膜的各种制备方法 | 第15-19页 |
| ·氮化硅硬盘保护膜的优点及存在的主要问题 | 第19-20页 |
| ·本论文的研究内容 | 第20-21页 |
| 2. 氮化硅(SiN_x)薄膜的制备及其表征方法 | 第21-28页 |
| ·实验装置简介 | 第21-22页 |
| ·氮化硅薄膜沉积的实验过程 | 第22-24页 |
| ·基体及前处理方法 | 第22-23页 |
| ·实验工艺及参数设定 | 第23-24页 |
| ·薄膜结构和性能的表征方法 | 第24-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 3. 微波ECR等离子体发射光谱(OES)诊断 | 第28-34页 |
| ·发射光谱简介 | 第28页 |
| ·OES实验装置介绍 | 第28-29页 |
| ·发射光谱分析 | 第29-33页 |
| ·不同N_2流量下的发射光谱诊断 | 第31-32页 |
| ·不同硅靶功率下的发射光谱诊断 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 4. N_2流量对SiN_x薄膜结构和性能的影响 | 第34-44页 |
| ·薄膜的化学结构表征 | 第34-35页 |
| ·薄膜的化学组分表征 | 第35-40页 |
| ·薄膜的生长速率 | 第40-41页 |
| ·薄膜的硬度检测 | 第41-42页 |
| ·薄膜的形貌表征 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 5. 硅靶功率对SiN_x薄膜结构和性能的影响 | 第44-48页 |
| ·薄膜的化学结构表征 | 第44-45页 |
| ·薄膜的化学组分表征 | 第45-46页 |
| ·薄膜的硬度检测 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 6. SiN_x薄膜摩擦学性能的分析 | 第48-56页 |
| ·摩擦学的研究内容 | 第48-49页 |
| ·摩擦学的发展 | 第49页 |
| ·摩擦学的研究方法和测试技术 | 第49-50页 |
| ·影响摩擦和磨损的主要因素 | 第50-51页 |
| ·不同N_2流量下薄膜的摩擦磨损测试及其形貌表征 | 第51-53页 |
| ·不同硅靶功率下薄膜的摩擦磨损测试 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 7. 总结与展望 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 大连理工大学学位论文版权使用授权书 | 第63页 |
